[发明专利]具有高隔离度和低交叉极化电平的天线、基站和终端

权利要求书

1.一种具有高隔离度和低交叉极化电平的天线，其特征在于：包括至少一层辐射层、馈电层以及设置于所述辐射层和所述馈电层之间的孔径耦合层，所述孔径耦合层包括金属片，所述金属片开设有第一馈电缝隙、第二馈电缝隙和中间缝隙，所述中间缝隙位于所述第一馈电缝隙和所述第二馈电缝隙之间，并位于所述金属片的弱电场区域内。

2.根据权利要求1所述的具有高隔离度和低交叉极化电平的天线，其特征在于：所述金属片的形状为多边形，具有对角线，所述第一馈电缝隙和所述第二馈电缝隙分别形成于所述对角线的相对两侧，所述中间缝隙沿所述对角线分布。

3.根据权利要求2所述的具有高隔离度和低交叉极化电平的天线，其特征在于：所述中间缝隙的数量为多个，且间隔设置，各所述中间缝隙均沿所述对角线分布，且均位于所述弱电场区域内。

4.根据权利要求2所述的具有高隔离度和低交叉极化电平的天线，其特征在于：所述弱电场区域包括电场强度相对较高的第一区域和电场强度相对较低的第二区域，所述第一区域和所述第二区域沿所述对角线分布，所述中间缝隙位于所述第一区域和/或所述第二区域内。

5.根据权利要求4所述的具有高隔离度和低交叉极化电平的天线，其特征在于：所述中间缝隙沿所述对角线方向开设；

或者，所述中间缝隙的开设方向沿所述第一区域或所述第二区域的长度方向开设；

或者，所述中间缝隙的开设方向沿所述第一区域或所述第二区域的宽度方向开设；

或者，所述中间缝隙在所述第一区域或所述第二区域内不规则开设。

6.根据权利要求4所述的具有高隔离度和低交叉极化电平的天线，其特征在于：所述中间缝隙包括第一缝隙和第二缝隙，所述第一缝隙和所述第二缝隙间隔分布于所述第一区域和/或所述第二区域内。

7.根据权利要求1所述的具有高隔离度和低交叉极化电平的天线，其特征在于：所述中间缝隙的轮廓为矩形、圆形、椭圆形或不规则形状。

8.根据权利要求1～7任一项所述的具有高隔离度和低交叉极化电平的天线，其特征在于：所述辐射层的数量为两个，两个所述辐射层均包括第一介电层和辐射贴片，两所述第一介电层和两所述辐射贴片交叠设置，且下一层所述第一介电层设置于所述金属片上。

9.根据权利要求8所述的具有高隔离度和低交叉极化电平的天线，其特征在于：远离所述孔径耦合层的所述辐射贴片的一侧还设置有寄生贴片，所述寄生贴片和所述辐射贴片之间形成有第二介电层。

10.根据权利要求1～7任一项所述的具有高隔离度和低交叉极化电平的天线，其特征在于：所述孔径耦合层还包括第三介电层，所述金属片设置于所述第三介电层上。

11.根据权利要求10所述的具有高隔离度和低交叉极化电平的天线，其特征在于：所述馈电层包括两馈线，两所述馈线贴设于所述第三介电层远离所述孔径耦合层的一侧并分别对应所述第一馈电缝隙和所述第二馈电缝隙设置，且两所述馈线延伸至所述第三介电层的边缘处的位置均开设有馈电端口。

12.根据权利要求11所述的具有高隔离度和低交叉极化电平的天线，其特征在于：两所述馈线相互垂直设置，在垂直于所述馈电层的方向上，两所述馈线基于所述中间缝隙对称分布，所述第一馈电缝隙和所述第二馈电缝隙基于所述中间缝隙对称分布。

13.根据权利要求11所述的具有高隔离度和低交叉极化电平的天线，其特征在于：所述馈电层还包括第四介电层，两所述馈线均设置于所述第四介电层上，所述第四介电层远离所述馈线的一侧贴设有金属地板。

14.根据权利要求1～7任一项所述的具有高隔离度和低交叉极化电平的天线，其特征在于：所述天线为毫米波天线或者亚毫米波天线。