[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010074222.3 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111755382A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 傅世刚;李明翰;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 刘潇;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构的形成方法，包括：
移除一第一介电层与一半导体基板上的一导电结构的顶部，以形成一第一凹陷；
沉积一第二介电层于该第一介电层上，其中该第二介电层包括垂直地位于该第一凹陷上的一第一区以及与该第一区相邻的一第二区；
形成一第三介电层于该第二介电层上；
形成多个开口于该第三介电层中，且所述开口延伸至露出该第二介电层；
沉积一导电材料于所述开口中；以及
平坦化该导电材料以形成多个导电结构于该第一区与该第二区中，其中平坦化步骤完全移除该第二区中的该第三介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
