[发明专利]导线、包括导线的显示装置和制造显示装置的方法在审
| 申请号: | 202010073723.X | 申请日: | 2020-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN111490076A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
| 发明(设计)人: | 杨受京;孙尚佑;宋都根;李东敏;申相原;申铉亿;高京秀;金湘甲;李俊杰 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导线 包括 显示装置 制造 方法 | ||
本公开涉及导线、包括导线的显示装置和制造显示装置的方法,用于显示装置的导线可以包括:第一层,包括铝或铝合金;第二层,设置在所述第一层上,所述第二层包括氮化钛;以及第三层,设置在所述第二层上,所述第三层包括钛并且具有包括多个堆叠的子层的多层结构。
技术领域
实施例涉及显示装置。更具体地,实施例涉及用于显示装置的导线、包括导线的显示装置以及制造包括导线的显示装置的方法。
背景技术
随着用于可视地表示各种电信号信息的显示装置已经迅速发展,已经使用了具有诸如纤薄、轻质和低功耗的优异特性的各种平板显示装置。平板显示装置中的液晶显示装置和有机发光显示装置由于它们的诸如优异的分辨率、图像质量等优点被广泛地商业化。具体地,有机发光显示装置已经由于它的诸如宽视角、高对比度和高响应速度的优点而引起关注。
近来,对具有高分辨率的显示装置的需求日益增加,因此,已经进行了可以提高每单位面积的像素集成的研究。为了高速处理图像信号,日益需要具有较低电阻的导线,因此,已经进行了使用铝(Al)代替钼(Mo)等作为导线的材料的研究。
然而,在高温处理期间,可能在包括铝(Al)的导线中产生铝(Al)的小丘。为了防止小丘的产生,可以在导线上另外形成包括钛(Ti)等的覆盖层。然而,当覆盖层的厚度增加时,在导线的蚀刻工艺期间,可能从覆盖层中包括的晶粒中产生过量的残留物。
发明内容
实施例提供了一种用于其中不产生过量的残留物的显示装置的导线以及包括所述导线的显示装置。
实施例提供一种制造包括用于防止产生过量的残留物的导线的显示装置的方法。
根据实施例的用于显示装置的导线可以包括:包括铝(Al)或铝合金的第一层;设置在所述第一层上的第二层,所述第二层包括难熔金属氮化物;以及设置在所述第二层上的第三层,包括难熔金属的所述第三层具有包括多个堆叠的子层的多层结构,所述第三层具有设置在相邻子层之间的界面。
在一实施例中,所述难熔金属氮化物可以包括氮化钛,并且所述难熔金属可以包括钛。
在一实施例中,所述第一层和所述第二层中的每一个可以具有单层结构。
在一实施例中,所述多个堆叠的子层可以包括彼此基本相同的材料。
在一实施例中,所述多个堆叠的子层中的每个子层可以包括钛。
在一实施例中,所述多个堆叠的子层可以包括彼此不同的材料。
在一实施例中,所述多个堆叠的子层中的一个子层可以包括钛,并且所述多个堆叠的子层中的另一子层可以包括氮化钛或氧化钛。
在一实施例中,所述多个堆叠的子层的厚度可以基本相等。
在一实施例中,所述第三层的厚度可以小于所述第一层的厚度。
在一实施例中,所述第二层的厚度可以小于所述第一层的厚度和所述第三层的厚度。
在一实施例中,所述第三层可以由两个、三个或四个子层组成。
根据实施例的显示装置可以包括:基底;设置在所述基底上的半导体层;设置在所述半导体层上的第一导线;以及设置在所述第一导线上的第二导线。所述第二导线可以包括:包括铝(Al)或铝合金的第一层;设置在所述第一层上的第二层,所述第二层包括难熔金属氮化物;以及设置在所述第二层上的第三层,所述第三层包括难熔金属并且具有包括多个堆叠的子层的多层结构,所述第三层具有设置在相邻子层之间的界面。
在一实施例中,所述第一导线可以包括:包括铝或铝合金的第一层;设置在所述第一层上的第二层,所述第二层包括氮化钛;以及设置在所述第二层上的第三层,所述第三层包括钛并且具有单层结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





