[发明专利]导线、包括导线的显示装置和制造显示装置的方法在审
| 申请号: | 202010073723.X | 申请日: | 2020-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN111490076A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
| 发明(设计)人: | 杨受京;孙尚佑;宋都根;李东敏;申相原;申铉亿;高京秀;金湘甲;李俊杰 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导线 包括 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种用于显示装置的导线,其中,所述导线包括:
包括铝或铝合金的第一层;
设置在所述第一层上的第二层,所述第二层包括难熔金属氮化物;以及
设置在所述第二层上的第三层,包括难熔金属的所述第三层具有包括多个堆叠的子层的多层结构,所述第三层具有设置在相邻子层之间的界面。
2.根据权利要求1所述的导线,其中,所述难熔金属氮化物包括氮化钛,并且所述难熔金属包括钛。
3.根据权利要求2所述的导线,其中,所述第一层和所述第二层中的每一个具有单层结构。
4.根据权利要求2所述的导线,其中,所述多个堆叠的子层包括相同的材料。
5.根据权利要求4所述的导线,其中,所述多个堆叠的子层的每个子层包括钛。
6.根据权利要求2所述的导线,其中,所述多个堆叠的子层包括彼此不同的材料。
7.根据权利要求6所述的导线,其中,所述多个堆叠的子层中的一个子层包括钛,并且
其中,所述多个堆叠的子层中的另一子层包括氮化钛或氧化钛。
8.根据权利要求2所述的导线,其中,所述多个堆叠的子层的厚度相等。
9.根据权利要求2所述的导线,其中,所述第三层的厚度小于所述第一层的厚度。
10.根据权利要求2所述的导线,其中,所述第二层的厚度小于所述第一层的厚度和所述第三层的厚度。
11.根据权利要求2所述的导线,其中,所述第三层由两个、三个或四个子层组成。
12.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:
基底;
设置在所述基底上的半导体层;
设置在所述半导体层上的第一导线;以及
设置在所述第一导线上的第二导线,
其中,所述第二导线包括:
包括铝或铝合金的第一层;
设置在所述第一层上的第二层,所述第二层包括难熔金属氮化物;以及
设置在所述第二层上的第三层,所述第三层包括难熔金属并且具有包括多个堆叠的子层的多层结构,所述第三层具有设置在相邻子层之间的界面。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述难熔金属氮化物包括氮化钛,并且所述难熔金属包括钛。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述第一导线包括:
包括铝或铝合金的第一层;
设置在所述第一层上的第二层,所述第二层包括氮化钛;以及
设置在所述第二层上的第三层,所述第三层包括钛并且具有单层结构。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述第二导线的所述第三层的厚度大于或等于所述第一导线的所述第三层的厚度。
16.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述第二导线的所述第三层的所述多个堆叠的子层中的每个子层的厚度小于所述第一导线的所述第三层的厚度。
17.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述第二导线的所述第三层中包括的晶粒的平均尺寸小于所述第一导线的所述第三层中包括的晶粒的平均尺寸。
18.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括设置在所述第二导线上的第三导线,
其中,所述第三导线经由暴露所述半导体层的一部分的第一接触孔与所述半导体层接触,并且所述第三导线经由暴露所述第二导线的一部分的第二接触孔与所述第二导线接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





