[发明专利]存储器及其形成方法

说明书

本发明提供了一种存储器及其形成方法。通过使位线组中位于边缘位置的第一位线的宽度尺寸大于排布在内的第二位线的宽度尺寸，从而在制备位线组时，不仅可以保障第一位线的形貌，并且在宽度较大的第一位线的阻挡保护下，还可以提高第二位线的形貌精度，进而有利于提高所形成的存储器的器件性能。同样的，由于多个节点接触部中位于边缘位置的第一接触部的宽度尺寸大于第二接触部的宽度尺寸，相应的可以保障第一接触部的形貌，并提高第二接触部的图形精度，进一步提高所形成的存储器的器件性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器及其形成方法。

背景技术

存储器，例如动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，其通常具有存储单元阵列，所述存储单元阵列中包括多个呈阵列式排布的存储单元。以及，所述存储器还具有多条位线，每一位线分别与相应的存储单元电性连接，并且所述存储器还包括存储电容器，所述存储电容器用于存储代表存储信息的电荷，以及所述存储单元可通过一节点接触部电性连接所述存储电容器，从而实现各个存储单元的存储功能。

目前，一种存储器的形成方法通常包括：形成位线组，并利用所述位线组界定出节点接触窗，进而可以填充导电材料在所述节点接触窗中，以形成节点接触部。

然而，在制备位线组时，对应在边缘位置上的位线其图形形貌极易发生变形(例如，边缘位置的位线容易被大量侵蚀而导致其形貌缩减)，这不仅会对位线的性能造成不利影响，导致最终所形成的半导体器件其稳定性较差，并且还会导致所界定出的节点接触窗的形貌异常，进而影响最终形成的节点接触部的品质。类似的，在制备节点接触部时，位于边缘位置的节点接触部同样的会存在其图形形貌容易发生变形的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器，以解决现有的存储器其边缘位置的位线和节点接触部容易出现形貌异常，从而影响存储器性能的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种存储器，包括：

衬底，所述衬底上定义有记忆体区和周边区，所述周边区位于所述记忆体区的外侧；

位线组，形成在所述衬底的所述记忆体区中，所述位线组包括多条沿着预定方向延伸的位线，以及所述位线组中排布在边缘位置的位线构成第一位线，所述位线组中位于所述第一位线远离周边区一侧的位线构成第二位线，所述第一位线的宽度尺寸大于所述第二位线的宽度尺寸；

隔离层，覆盖所述位线的顶表面，以及所述隔离层中覆盖在所述第一位线上的部分构成第一隔离部；以及，

多个节点接触部，所述多个节点接触部中的每一节点接触部至少部分位于所述位线的一侧，以及所述多个节点接触部中排布在边缘位置的节点接触部构成第一接触部，所述多个节点接触部中位于所述第一接触部远离周边区一侧的节点接触部构成第二接触部，所述第一接触部还横向延伸至所述第一隔离部上，以使所述第一接触部的最大宽度尺寸大于所述第二接触部的最大宽度尺寸。

可选的，所述第一接触部其部分位于所述第一位线靠近所述第二位线的一侧，以使所述第一接触部部分位于所述第一位线和紧邻的第二位线之间，并且所述第一接触部的顶部还往远离所述第二位线的方向延伸至所述第一隔离部上，以至少部分覆盖所述第一隔离部。

可选的，所述隔离层中覆盖在所述第二位线上的部分构成第二隔离部，以及所述第一隔离部中覆盖于所述第一接触部下方的部分的厚度大于所述第二隔离部的厚度。

可选的，所述第二接触部位于相邻的第二位线之间，并且所述第二接触部的顶表面高出于所述第二隔离部的顶表面；

以及，所述存储器还包括间隔绝缘层，所述间隔绝缘层形成在所述隔离层上，其中所述间隔绝缘层中形成在第一隔离部上的部分构成间隔侧墙，所述间隔绝缘层中形成在第二隔离部上的部分构成间隔填充部，所述间隔填充部形成在相邻的节点接触部之间。