[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上定义有记忆体区和周边区，所述周边区位于所述记忆体区的外侧；

位线组，形成在所述衬底的所述记忆体区中，所述位线组包括多条沿着预定方向延伸的位线，以及所述位线组中排布在边缘位置的位线构成第一位线，所述位线组中位于所述第一位线远离周边区一侧的位线构成第二位线，所述第一位线的宽度尺寸大于所述第二位线的宽度尺寸；

隔离层，覆盖所述位线的顶表面，以及所述隔离层中覆盖在所述第一位线上的部分构成第一隔离部；以及，

多个节点接触部，所述多个节点接触部中的每一节点接触部至少部分位于所述位线的一侧，以及所述多个节点接触部中排布在边缘位置的节点接触部构成第一接触部，所述多个节点接触部中位于所述第一接触部远离周边区一侧的节点接触部构成第二接触部，所述第一接触部还横向延伸至所述第一隔离部上，以使所述第一接触部的最大宽度尺寸大于所述第二接触部的最大宽度尺寸。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一接触部其部分位于所述第一位线靠近所述第二位线的一侧，以使所述第一接触部的一部分位于所述第一位线和紧邻的第二位线之间，并且所述第一接触部的顶部还往远离所述第二位线的方向延伸至所述第一隔离部上，以至少部分覆盖所述第一隔离部。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述隔离层中覆盖在所述第二位线上的部分构成第二隔离部，以及所述第一隔离部中覆盖于所述第一接触部下方的部分的厚度大于所述第二隔离部的厚度。

4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述第二接触部位于相邻的第二位线之间，并且所述第二接触部的顶表面高出于所述第二隔离部的顶表面；

以及，所述存储器还包括间隔绝缘层，所述间隔绝缘层形成在所述隔离层上，其中所述间隔绝缘层中形成在第一隔离部上的部分构成间隔侧墙，所述间隔绝缘层中形成在第二隔离部上的部分构成间隔填充部，所述间隔填充部形成在相邻的节点接触部之间。

5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述第一隔离部中被所述第一接触部覆盖的第一部分高出于所述第一隔离部中未被所述第一接触部覆盖的第二部分，以使所述第一部分的侧壁和所述第二部分的顶表面连接而呈现为台阶状结构，以及所述间隔侧墙形成在所述第二部分的顶表面上并覆盖所述第一部分的侧壁。

6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，在所述第一位线远离所述第二位线的一侧还形成绝缘介质层，所述隔离层还延伸覆盖所述绝缘介质层以构成第三隔离部；

其中，所述第一隔离部的第一部分的顶部位置位于第一高度位置，所述第一隔离部的第二部分的顶部位置和所述第二隔离部的顶部位置均位于第二高度位置，以及所述第三隔离部的顶部位置位于第三高度位置，其中所述第一高度位置高于所述第二高度位置，所述第二高度位置高于所述第三高度位置。

7.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述间隔绝缘层的材料包括氮化硅。

8.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述衬底的所述记忆体区中形成有多个有源区，以及所述位线组中的位线与所述多个有源区中对应的有源区相交，所述多个节点接触部中的节点接触部形成在对应的有源区上；

其中，所述多个有源区中排布在边缘位置的有源区构成第一有源区，所述位线组中的所述第一位线和所述第一有源区相交，以及所述多个节点接触部中的至少部分第一接触部形成在所述第一有源区上。

9.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述第一接触部包括绝缘接触柱和第一电性传导层，所述绝缘接触柱形成在所述衬底上并和相接触的有源区电性绝缘，所述第一电性传导层覆盖所述绝缘接触柱的顶表面并延伸至所述第一隔离部。

10.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一位线的宽度尺寸大于所述第二位线的宽度尺寸的1倍，并且小于等于所述第二位线的宽度尺寸的2倍。