[发明专利]工艺环境控制方法及系统在审
申请号: | 202010071147.5 | 申请日: | 2020-01-21 |
公开(公告)号: | CN111339636A | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 刘建涛;张立超;刘耀琴;肖托;陈洪 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20;G06F119/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工艺 环境 控制 方法 系统 | ||
本发明提供一种工艺环境控制方法及系统,该方法包括以下步骤:S1、依据时间序列依次获取工艺环境状态参量截止至k‑1时刻的历史输入值和历史输出值,以构建历史数据向量;其中,k为当前时刻;S2、基于历史数据向量,采用递推最小二乘法计算获得预先建立的模型在k时刻的模型参数;S3、将模型参数输入模型,以得到工艺环境状态参量在k时刻的当前输入值,并发送至被控对象;S4、将k‑1时刻替换为k时刻,并返回步骤S1。本发明提供的工艺环境控制方法及系统的技术方案,不仅可以提高工艺环境状态参量的控制精度,而且解决了处理的数据量大,占用内存大,无法在线估计参数等的问题。
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,具体地,涉及一种工艺环境控制方法及系统。
背景技术
目前,半导体制造中经常采用热处理工艺进行薄膜介质制备,该工艺是对腔室中的工艺介质进行热处理的过程,在进行热处理工艺的过程中,通过控制诸如腔室温度、腔室压力及物料供应流量等的工艺环境状态参量,来满足介质生产的环境条件。如何使这些工艺环境状态参量快速达到目标值或收敛到参量指标是改进工艺生产环境的重要参考课题。
目前对诸如热处理设备的工艺环境的研究大多集中在参量建模或在线估计上,即,基于诸如腔室中的环境温度、腔室压力等的环境状态参量建立状态模型,并依据误差指标寻找最优控制参量,但是,传统方法中对于模型的输入选择大多是根据主观确定,这会影响模型的精度和建模效率。虽然可以通过实验获取足够量的数据来提高模型精度,但是这又存在处理的数据量大,占用内存大,无法在线估计参数等的问题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种工艺环境控制方法及系统,其不仅可以提高工艺环境状态参量的控制精度,而且解决了处理的数据量大,占用内存大,无法在线估计参数等的问题。
为实现本发明的目的而提供一种工艺环境控制方法,所述方法包括以下步骤:
S1、依据时间序列依次获取工艺环境状态参量截止至k-1时刻的历史输入值和历史输出值,以构建历史数据向量;其中,k为当前时刻;
S2、基于所述历史数据向量,采用递推最小二乘法计算获得预先建立的模型在k时刻的模型参数;
S3、将所述模型参数输入所述模型,以得到所述工艺环境状态参量在k时刻的当前输入值,并发送至被控对象;
S4、将所述k-1时刻替换为k时刻,并返回所述步骤S1。
可选的,所述模型为多输入多输出的自回归移动平均模型。
可选的,所述模型满足以下函数公式:
其中,i,j=1,2,…,N,N为所述历史输入值和所述历史输出值各自的采样个数,且N大于1;
u(k-d)为所述工艺环境状态参量在k时刻的当前输入值,d为采样时延;
yi(k)为所述模型参数;
Ai(Z-1)、Aj(Z-1)和Bi(Z-1)均为多项式矩阵。
可选的,所述步骤S2进一步包括以下步骤:
S21、基于所述历史数据向量,并利用下述θ(k)、K(k)和P(k)的公式采用所述递推最小二乘法递推计算获得θ(k);
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