[发明专利]等离子体处理装置

说明书

在例示性实施方式的等离子体处理装置中，高频电源产生高频电力，以生成等离子体。偏置电源对下部电极周期性施加脉冲状的负极性的直流电压，以将离子引入基板支撑器。高频电源在脉冲状的负极性的直流电压未施加到下部电极的期间，作为一个以上的脉冲供应高频电力。高频电源在脉冲状的负极性的直流电压施加到下部电极的期间，停止供应高频电力。一个以上的脉冲中的每一个具有从其开始时刻到其峰值出现的时刻为止逐渐增加的功率级。

技术领域

本发明的例示性实施方式涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

在对基板的等离子体蚀刻中使用等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支撑器及两个高频电源。基板支撑器包含下部电极。基板支撑器构成为在腔室内支撑基板。将气体供应到腔室内，以进行等离子体处理。从两个高频电源中的一个供应高频电力，以便由气体生成等离子体。并且，从两个高频电源中的另一个向下部电极供应高频偏置电力。这种等离子体处理装置记载于日本特开2000-173993号公报。

发明内容

本发明提供一种抑制在腔室内的气体的过度解离，并抑制通过等离子体蚀刻产生的反应生成物的再解离的技术。

在一例示性实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支撑器、高频电源及偏置电源。基板支撑器具有下部电极。基板支撑器构成为在腔室内支撑基板。高频电源构成为产生高频电力，以在腔室内由气体生成等离子体。偏置电源构成为与下部电极电连接且产生用于将离子引入基板支撑器的高频偏置电力。偏置电源构成为作为偏置电力周期性产生脉冲状的负极性的直流电压。高频电源构成为在脉冲状的负极性的直流电压未施加到下部电极的第1期间，作为一个以上的脉冲供应高频电力。高频电源构成为在脉冲状的负极性的直流电压施加到下部电极的第2期间停止供应高频电力。高频电源以一个以上的脉冲中的每一个具有从其开始时刻到其峰值出现的时刻为止逐渐增加的功率级(パワーレベル)的方式生成高频电力。

根据一例示性实施方式，能够抑制在腔室内的气体的过度解离，并抑制通过等离子体蚀刻产生的反应生成物的再解离。

附图说明

图1是概略表示一例示性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。

图2是表示一例示性实施方式所涉及的等离子体处理装置的高频电源及偏置电源的结构的图。

图3是高频电力、离子密度、电子温度及偏置电力的例示性时序图。

图4(a)是表示多个电力成分的合成电力的波形的一例的图，图4(b)是表示图4(a)所示的合成电力的功率谱的图，图4(c)是表示一例的高频电力HF的波形的图。

图5(a)是表示多个电力成分的合成电力的波形的一例的图，图5(b)是表示图5(a)所示的合成电力的功率谱的图，图5(c)是表示一例的高频电力HF的波形的图。

图6是概略表示另一例示性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。

图7是表示另一例示性实施方式所涉及的等离子体处理装置的高频电源及偏置电源的结构的图。

图8是高频电力、离子密度、电子温度及偏置电力的另一例示性时序图。

图9是高频电力、离子密度、电子温度及偏置电力的又一例示性时序图。

图10是高频电力及偏置电力的又一例示性时序图。

图11是表示另一例示性实施方式所涉及的高频电源的结构的图。

具体实施方式

以下，对各种例示性实施方式进行说明。