[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其具备：

腔室；

基板支撑器，其构成为具有下部电极且在所述腔室内支撑基板；

高频电源，其构成为产生高频电力，以在所述腔室内由气体生成等离子体；及

偏置电源，其构成为与所述下部电极电连接且产生用于将离子引入所述基板支撑器的偏置电力，

所述偏置电源构成为作为所述偏置电力周期性产生脉冲状的负极性的直流电压，

所述高频电源构成为在所述脉冲状的负极性的直流电压未施加到所述下部电极的第1期间，作为一个以上的脉冲供应所述高频电力，在所述脉冲状的负极性的直流电压施加到所述下部电极的第2期间，停止供应所述高频电力，

所述高频电源具有功率级地生成所述高频电力，所述一个以上的脉冲中的每一个的高频电力的功率级从该一个以上的脉冲中的每一个的开始时刻到该一个以上的脉冲中的每一个的峰值出现的时刻为止逐渐增加，

所述高频电源具有：

发电机，其构成为产生所述高频电力；及

输出部，其构成为输出通过所述发电机产生的所述高频电力，

所述发电机构成为产生高频电力，该高频电力包含分别具有以指定频率的间隔相对于基本频率对称设定的多个频率的多个电力成分，其包络线具有以所述指定频率或以该指定频率的2倍以上倍数的频率且按规定的时间间隔周期性出现的峰值，其功率级设定成在除了所述峰值的每一个出现时刻紧前的所述包络线的零交叉区域与该出现时刻紧后的所述包络线的零交叉区域之间的期间以外的期间为零。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其还具备：

控制部，其构成为控制所述偏置电源，以设定所述脉冲状的负极性的直流电压的周期的相位。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，

所述控制部构成为进一步控制所述偏置电源，以设定所述脉冲状的负极性的直流电压的持续时间长度。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述发电机构成为具有：

波形数据生成部；

量化部，其构成为对通过所述波形数据生成部生成的波形数据进行量化来生成量化数据；

傅里叶逆变换部，其构成为对所述量化数据适用傅里叶逆变换来生成I数据及Q数据；及

调制部，其构成为利用所述I数据及所述Q数据调制相位彼此相差90°的两个基准高频信号来生成调制高频信号，

并且根据所述调制高频信号生成所述高频电力。

5.一种等离子体处理装置，其具备：

腔室；

基板支撑器，其构成为具有下部电极且在所述腔室内支撑基板；

高频电源，其构成为产生高频电力，以在所述腔室内由气体生成等离子体；及

偏置电源，其构成为与所述下部电极电连接且产生用于将离子引入所述基板支撑器的偏置电力，

所述偏置电源构成为作为所述偏置电力产生高频偏置电力，

所述高频电源在从所述偏置电源输出的所述高频偏置电力具有正电压的第1期间，作为一个以上的脉冲供应所述高频电力，在从所述偏置电源输出的所述高频偏置电力具有负电压的第2期间，停止供应所述高频电力，

所述高频电源具有功率级地生成所述高频电力，所述一个以上的脉冲中的每一个的高频电力的功率级从该一个以上的脉冲中的每一个的开始时刻到该一个以上的脉冲中的每一个的峰值出现的时刻为止逐渐增加。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其还具备：

控制部，其构成为控制所述偏置电源，以设定所述高频偏置电力的相位。

7.根据权利要求5或6所述的等离子体处理装置，其中，

所述一个以上的脉冲中的每一个上升时间比能够从所述高频电源输出的高频电力的脉冲的最小上升时间更长。

8.根据权利要求5或6所述的等离子体处理装置，其中，

所述高频电源具有：

发电机，其构成为产生所述高频电力；及

输出部，其构成为输出通过所述发电机产生的所述高频电力。