[发明专利]有机发光二极管显示装置

说明书

提供了一种有机发光二极管显示装置。所述有机发光二极管显示装置包括基底、驱动晶体管、开关晶体管、第一光吸收层、有机绝缘层和子像素结构。基底包括第一区域和第二区域。驱动晶体管在基底上设置在第一区域中。开关晶体管在基底上设置在第二区域中，并且包括金属氧化物基半导体。第一光吸收层设置在驱动晶体管和开关晶体管上。有机绝缘层直接设置在第一光吸收层上。子像素结构设置在有机绝缘层上。

技术领域

示例性实施例总体上涉及一种有机发光二极管显示装置和一种制造该有机发光二极管显示装置的方法。更具体地，发明的实施例涉及一种包括不同类型的晶体管的有机发光二极管显示装置和一种制造所述包括不同类型的晶体管的有机发光二极管显示装置的方法。

背景技术

平板显示装置由于其重量轻且薄的特性而被广泛地用作用于代替阴极射线管显示装置的显示装置。这样的平板显示装置可以包括液晶显示装置和有机发光二极管显示装置。

近来，正在开发包括硅基半导体元件和金属氧化物基半导体元件两者的有机发光二极管显示装置。更具体地，例如，在有机发光二极管显示装置的子像素电路中，硅基半导体可以用作驱动晶体管，并且金属氧化物基半导体可以用作开关晶体管。

发明内容

在驱动晶体管包括硅基半导体且开关晶体管包括金属氧化物基半导体的有机发光二极管显示装置中，光入射在金属氧化物基半导体上。例如，穿透到有机发光二极管显示装置中的外部光会透射通过子像素电路，或者从发光层发射的光的一部分会从上电极反射而透射通过子像素电路。因此，透射的光会入射在金属氧化物基半导体上。当光入射在金属氧化物基半导体上时，会使金属氧化物基半导体迅速地劣化，并且会改变包括金属氧化物基半导体的开关晶体管的特性。

示例性实施例提供了一种包括不同类型的晶体管的有机发光二极管显示装置。

示例性实施例提供了一种制造包括不同类型的晶体管的有机发光二极管显示装置的方法。

根据示例性实施例，有机发光二极管显示装置包括基底、驱动晶体管、开关晶体管、第一光吸收层、有机绝缘层和子像素结构。基底包括第一区域和第二区域。在这样的实施例中，驱动晶体管在基底上设置在第一区域中。在这样的实施例中，开关晶体管在基底上设置在第二区域中，并且包括金属氧化物基半导体。在这样的实施例中，第一光吸收层设置在驱动晶体管和开关晶体管上。在这样的实施例中，有机绝缘层直接设置在第一光吸收层上。在这样的实施例中，子像素结构设置在有机绝缘层上。

在示例性实施例中，驱动晶体管和开关晶体管中的每个可以具有顶栅结构。

在示例性实施例中，驱动晶体管可以包括：第一有源层，包括第一源区、第一漏区和第一沟道区；第一栅电极，在第一有源层上与第一沟道区叠置；第一源电极，设置在第一栅电极上并且连接到第一源区；以及第一漏电极，设置在第一栅电极上并且连接到第一漏区。在这样的实施例中，第一有源层可以包括硅基半导体。

在示例性实施例中，开关晶体管可以包括：第二有源层，包括第二源区、第二漏区和第二沟道区；第二栅电极，在第二有源层上与第二沟道区叠置；第二源电极，设置在第二栅电极上并且连接到第二源区；以及第二漏电极，设置在第二栅电极上并且连接到第二漏区。在这样的实施例中，第二有源层可以包括金属氧化物基半导体。

在示例性实施例中，有机发光二极管显示装置还可以包括设置在第二有源层与第二栅电极之间的绝缘图案。

在示例性实施例中，有机发光二极管显示装置还可以包括：第一栅极绝缘层，设置在基底上，以在第一区域中覆盖第一有源层；以及第二栅极绝缘层，设置在第一栅极绝缘层上，以在第一区域中覆盖第一栅电极。

在示例性实施例中，驱动晶体管还可以包括在第二栅极绝缘层上与第一栅电极叠置的栅电极图案。