[发明专利]有机发光二极管显示装置在审
| 申请号: | 202010065083.8 | 申请日: | 2020-01-20 |
| 公开(公告)号: | CN111490075A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
| 发明(设计)人: | 李骏熙;金东源;金德会;裵寅浚;李惠旼;金智熙 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置,所述有机发光二极管显示装置包括:
基底,包括第一区域和第二区域;
驱动晶体管,在所述基底上设置在所述第一区域中;
开关晶体管,在所述基底上设置在所述第二区域中,并且包括金属氧化物基半导体;
第一光吸收层,设置在所述驱动晶体管和所述开关晶体管上;
有机绝缘层,直接设置在所述第一光吸收层上;以及
子像素结构,设置在所述有机绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述驱动晶体管和所述开关晶体管中的每个具有顶栅结构。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述驱动晶体管包括:
第一有源层,包括第一源区、第一漏区和第一沟道区;
第一栅电极,在所述第一有源层上与所述第一沟道区叠置;
第一源电极,设置在所述第一栅电极上并且连接到所述第一源区;以及
第一漏电极,设置在所述第一栅电极上并且连接到所述第一漏区,并且
所述第一有源层包括硅基半导体。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述开关晶体管包括:
第二有源层,包括第二源区、第二漏区和第二沟道区;
第二栅电极,在所述第二有源层上与所述第二沟道区叠置;
第二源电极,设置在所述第二栅电极上并且连接到所述第二源区;以及
第二漏电极,设置在所述第二栅电极上并且连接到所述第二漏区,并且
所述第二有源层包括所述金属氧化物基半导体。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置,所述有机发光二极管显示装置还包括:
绝缘图案,设置在所述第二有源层与所述第二栅电极之间。
6.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置,所述有机发光二极管显示装置还包括:
第一栅极绝缘层,设置在所述基底上,以在所述第一区域中覆盖所述第一有源层;以及
第二栅极绝缘层,设置在所述第一栅极绝缘层上,以在所述第一区域中覆盖所述第一栅电极。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述驱动晶体管还包括在所述第二栅极绝缘层上与所述第一栅电极叠置的栅电极图案。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示装置,所述有机发光二极管显示装置还包括:
第一绝缘中间层,设置在所述第二栅极绝缘层上,以在所述第一区域中覆盖所述栅电极图案;以及
第二绝缘中间层,设置在所述第一绝缘中间层上,以在所述第二区域中覆盖所述第二有源层和所述第二栅电极,
其中,所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二源电极和所述第二漏电极设置在所述第二绝缘中间层上。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置,所述有机发光二极管显示装置还包括:
保护绝缘层,设置在所述第二绝缘中间层上,以覆盖所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二源电极和所述第二漏电极;以及
平坦化层,设置在所述保护绝缘层上。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述子像素结构包括:
下电极;
发光层,设置在所述下电极上;以及
上电极,设置在所述发光层上,并且
其中,所述有机发光二极管显示装置还包括设置在所述平坦化层与所述第一光吸收层之间的连接图案,
其中,所述连接图案通过穿过所述第一光吸收层的一部分和所述有机绝缘层的一部分所限定的接触孔而电连接到所述下电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





