[发明专利]阵列基板及显示装置在审
申请号: | 202010064637.2 | 申请日: | 2020-01-20 |
公开(公告)号: | CN111244111A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 曾诚;李英宰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L23/00 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及显示装置。该阵列基板可包括:衬底基板;薄膜晶体管,形成在所述衬底基板的一侧,所述薄膜晶体管包括依次形成在所述衬底基板上的半导体层、栅绝缘层、栅极、源漏极;其中:所述栅绝缘层中位于所述半导体层相对两侧的部位开设有过孔;所述薄膜晶体管还包括第一应力吸收层,所述第一应力吸收层形成在所述栅极远离所述衬底基板的一侧,并填充于所述过孔中;所述第一应力吸收层能够吸收所述阵列基板在弯折时产生的应力。该方案可保证弯折区的画质,提高显示效果。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode;有机发光二极管)显示技术具有自发光、宽视角、广色域、高对比度、轻薄、可折叠、可弯曲、轻薄易携带等特点,成为显示领域研发的主要方向。
目前,OLED显示产品可折叠、可弯曲的特性成为各厂商追求的新亮点。根据厂商要求,OLED显示产品的折叠特性需达到:在特定折叠半径的条件下,折叠30000~100000次后,折叠区域的显示效果无异常。
但在OLED显示产品折叠状态下时,折叠区域的薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)均会受到不同程度的应力作用。当OLED显示产品长期处于折叠状态或者折叠次数过多时,容易造成折叠区域亮度不均,亮暗点等不良,降低了产品的画质。
所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本申请的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本申请的目的在于提供一种阵列基板及显示装置,能够提高显示产品的画质。
为实现上述发明目的,本申请采用如下技术方案:
本申请第一方面提供了一种阵列基板,其包括:
衬底基板;
薄膜晶体管,形成在所述衬底基板的一侧,所述薄膜晶体管包括依次形成在所述衬底基板上的半导体层、栅绝缘层、栅极、源漏极;其中:
所述栅绝缘层中位于所述半导体层相对两侧的部位开设有过孔;
所述薄膜晶体管还包括第一应力吸收层,所述第一应力吸收层形成在所述栅极远离所述衬底基板的一侧,并填充于所述过孔中;所述第一应力吸收层能够吸收所述阵列基板在弯折时产生的应力。
在本申请的一种示例性实施例中,所述源漏极形成在所述第一应力吸收层远离所述栅极的一侧,并依次穿过所述第一应力吸收层和所述栅绝缘层以与所述半导体层的两接触区连接。
在本申请的一种示例性实施例中,所述薄膜晶体管还包括层间介质层,所述层间介质层形成在所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧并覆盖所述栅极;且所述层间介质层具有与所述过孔相对应的通孔;其中:
所述第一应力吸收层形成在所述层间介质层远离所述衬底基板的一侧,并填充于所述通孔和所述过孔中;且所述源漏极形成在所述第一应力吸收层远离所述栅极的一侧,并依次穿过所述第一应力吸收层、所述层间介质层和所述栅绝缘层以与所述半导体层的两接触区连接;
或
所述源漏极形成在所述层间介质层远离所述栅极的一侧,并依次穿过所述层间介质层和所述栅绝缘层以与所述半导体层的两接触区连接,所述第一应力吸收层形成在所述层间介质层远离所述衬底基板的一侧、并填充于所述通孔和所述过孔,且所述第一应力吸收层覆盖所述源漏极。
在本申请的一种示例性实施例中,所述栅绝缘层中位于所述半导体层相对两侧的部位均具有多个所述过孔。
在本申请的一种示例性实施例中,还包括:依次形成在所述薄膜晶体管远离所述衬底基板一侧的有机发光二极管和封装薄膜;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的