[发明专利]阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

薄膜晶体管，形成在所述衬底基板的一侧，所述薄膜晶体管包括依次形成在所述衬底基板上的半导体层、栅绝缘层、栅极、源漏极；其中：

所述栅绝缘层中位于所述半导体层相对两侧的部位开设有过孔；

所述薄膜晶体管还包括第一应力吸收层，所述第一应力吸收层形成在所述栅极远离所述衬底基板的一侧，并填充于所述过孔中；所述第一应力吸收层能够吸收所述阵列基板在弯折时产生的应力。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述源漏极形成在所述第一应力吸收层远离所述栅极的一侧，并依次穿过所述第一应力吸收层和所述栅绝缘层以与所述半导体层的两接触区连接。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述薄膜晶体管还包括层间介质层，所述层间介质层形成在所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧并覆盖所述栅极；且所述层间介质层具有与所述过孔相对应的通孔；其中：

所述第一应力吸收层形成在所述层间介质层远离所述衬底基板的一侧，并填充于所述通孔和所述过孔中；且所述源漏极形成在所述第一应力吸收层远离所述栅极的一侧，并依次穿过所述第一应力吸收层、所述层间介质层和所述栅绝缘层以与所述半导体层的两接触区连接；

或

所述源漏极形成在所述层间介质层远离所述栅极的一侧，并依次穿过所述层间介质层和所述栅绝缘层以与所述半导体层的两接触区连接，所述第一应力吸收层形成在所述层间介质层远离所述衬底基板的一侧、并填充于所述通孔和所述过孔，且所述第一应力吸收层覆盖所述源漏极。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述栅绝缘层中位于所述半导体层相对两侧的部位均具有多个所述过孔。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：依次形成在所述薄膜晶体管远离所述衬底基板一侧的有机发光二极管和封装薄膜；

所述有机发光二极管与所述源漏极中的一极电连接；

所述封装薄膜覆盖所述有机发光二极管；且所述封装薄膜包括依次形成的第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一无机封装层远离所述有机发光二极管的一侧形成具有多个凹槽。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一无机封装层和所述第二无机封装层的厚度为0.5μm至1μm，所述凹槽的深度为0.2μm至0.3μm，所述有机封装层的厚度为8μm至13μm。

8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述封装薄膜还包括第二应力吸收层，所述第二应力吸收层形成在所述第二无机封装层与所述有机封装层之间。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一应力吸收层和所述第二应力吸收层为树脂材料。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1至9中任一项所述的阵列基板。