[发明专利]一种显示面板以及电子装置有效
| 申请号: | 202010062240.X | 申请日: | 2020-01-19 |
| 公开(公告)号: | CN111244110B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
| 发明(设计)人: | 陈远鹏;徐源竣;刘兆松 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/121;H10K59/126 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 以及 电子 装置 | ||
本发明提供一种显示面板以及电子装置,该显示面板包括:衬底基板;金属氧化物半导体层,设于所述衬底基板上;栅绝缘层,部分设于所述金属氧化物半导体层上;第一金属层,部分设于所述栅绝缘层上,所述第一金属层包括栅极;保护层,设于所述栅极、所述栅绝缘层以及所述金属氧化物半导体层上;所述保护层的材料为金属氧化物;第一绝缘层,设于所述保护层上;第二金属层,设于所述第一绝缘层上,所述第二金属层包括源极和漏极。本发明的显示面板以及电子装置,能够提高薄膜晶体管的稳定性和薄膜晶体管的导电性能。
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板以及电子装置。
【背景技术】
为驱动显示面板(比如有机发光二极管(OLED)器件),需要薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)具备高的迁移率以产生足够高的驱动电流,并且薄膜晶体管的稳定性也直接影响到OLED的显示特性。
为了提高薄膜晶体管的迁移率,目前薄膜晶体管多采用氧化物半导体作为半导体层,然而氧化物半导体材料容易受到水氧的影响,使得TFT器件的稳定性降低,进而降低了薄膜晶体管的导电性能。
因此,有必要提供一种显示面板以及电子装置,以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种显示面板以及电子装置,能够提高薄膜晶体管的稳定性和薄膜晶体管的导电性能。
为解决上述技术问题,本发明提供一种显示面板,包括:
衬底基板;
金属氧化物半导体层,设于所述衬底基板上;
栅绝缘层,部分设于所述金属氧化物半导体层上;
第一金属层,部分设于所述栅绝缘层上,所述第一金属层包括栅极;
保护层,设于所述栅极、所述栅绝缘层以及所述金属氧化物半导体层上;所述保护层的材料为金属氧化物;
第一绝缘层,设于所述保护层上;
第二金属层,设于所述第一绝缘层上,所述第二金属层包括源极和漏极。
本发明还提供一种电子装置,其包括上述显示面板。
本发明的显示面板以及电子装置,包括衬底基板;金属氧化物半导体层,设于所述衬底基板上;栅绝缘层,部分设于所述金属氧化物半导体层上;第一金属层,部分设于所述栅绝缘层上,所述第一金属层包括栅极;保护层,设于所述栅极、所述栅绝缘层以及所述金属氧化物半导体层上;所述保护层的材料为金属氧化物;第一绝缘层,设于所述保护层上;第二金属层,设于所述第一绝缘层上,所述第二金属层包括源极和漏极;由于保护层的材料也为金属氧化物,因此可以显著增强对金属氧化物半导体层的保护,降低外界水氧对氧化物材料的影响,提高薄膜晶体管的稳定性和薄膜晶体管的导电性能。
【附图说明】
图1为本发明一实施例的显示面板的结构示意图;
图2为本发明另一实施例的显示面板的结构示意图;
图3为本发明图2中的显示面板制作方法的第一步至第四步的结构示意图;
图4为本发明图2中的显示面板制作方法的第五步至第六步的结构示意图;
图5为本发明图2中的显示面板制作方法的第七步的结构示意图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





