[发明专利]一种显示面板以及电子装置

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底基板；

金属氧化物半导体层，设于所述衬底基板上；

栅绝缘层，部分设于所述金属氧化物半导体层上；

第一金属层，部分设于所述栅绝缘层上，所述第一金属层包括栅极；所述第一金属层包括第一子层和第二子层，所述第一子层用于增强所述第二子层与所述栅绝缘层之间的粘附力；

保护层，设于所述栅极、所述栅绝缘层以及所述金属氧化物半导体层上；所述保护层的材料为金属氧化物；

第一绝缘层，设于所述保护层上；

第二金属层，设于所述第一绝缘层上，所述第二金属层包括源极和漏极；

所述显示面板还包括遮光层，所述遮光层设于所述衬底基板和所述金属氧化物半导体层之间；所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述金属氧化物半导体层在所述衬底基板上的正投影，且所述遮光层与所述漏极连接；

其中，所述栅绝缘层和所述第一绝缘层均通过化学气相沉积工艺沉积形成，且所述化学气相沉积工艺中氧的含量根据所述金属氧化物半导体层的导电参数设置。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述保护层的材料为非晶态金属氧化物。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述保护层的材料包括Al、Ca、Mg、Ti、Mo以及Ni中的至少一种元素。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述保护层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，

所述保护层的厚度范围为所述第一绝缘层的厚度范围为

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第二金属层包括第一金属子层和第二金属子层，所述第一金属子层用于增强所述第二金属子层与所述第一绝缘层之间的粘附力。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，

所述第一子层的材料包括Mo、Ti、Ni中的至少一种；所述第二子层的材料为铜。

8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，

所述第一子层的厚度小于所述第二子层的厚度；

所述第一金属子层的厚度小于所述第二金属子层的厚度。

9.一种显示面板的制作方法，包括以下步骤：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上制作遮光层；

在所述遮光层上制作金属氧化物半导体层；

在所述金属氧化物半导体层上制作栅绝缘层；所述栅绝缘层通过化学气相沉积工艺沉积形成，其中，所述化学气相沉积工艺中氧的含量根据所述金属氧化物半导体层的导电参数设置；

在所述栅绝缘层上制作第一金属层；所述第一金属层包括栅极；所述第一金属层包括第一子层和第二子层，所述第一子层用于增强所述第二子层与所述栅绝缘层之间的粘附力；

在所述栅极、所述栅绝缘层以及所述金属氧化物半导体层上制作保护层；所述保护层通过直接沉积非晶态金属氧化物形成；

在所述保护层上制作第一绝缘层；所述第一绝缘层通过化学气相沉积工艺沉积形成，其中，所述化学气相沉积工艺中的氧的含量根据所述金属氧化物半导体层的导电参数设置；

在所述第一绝缘层上制作第二金属层；所述第二金属层包括源极和漏极；

在所述第二金属层上制作第二绝缘层。

10.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1至8任意一项所述的显示面板，或者包括如权利要求9所述的制作方法制备的显示面板。