[发明专利]导电膜结构及其制备方法以及触控显示结构及其制备方法在审
| 申请号: | 202010058141.4 | 申请日: | 2020-01-17 | 
| 公开(公告)号: | CN111292877A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 | 
| 发明(设计)人: | 蔡小涛;黄峥华 | 申请(专利权)人: | 广州市东晅科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;G02B1/11;G02B1/10;G02B1/18;G06F3/041 | 
| 代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 王丽莎 | 
| 地址: | 511400 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导电 膜结构 及其 制备 方法 以及 显示 结构 | ||
1.一种导电膜结构,其特征在于,由导电功能层和光学功能层组成;所述导电功能层由光学基膜和导电基层组成;
所述光学基膜具有第一表面和相对的第二表面;所述导电基层设置在所述光学基膜的所述第一表面;所述光学功能层设置在所述第二表面;
所述光学功能层为AF层、AR层、AG层中的至少一种;或者
所述光学功能层为AF层、AR层、AG层中的至少两种的层叠。
2.根据权利要求1所述的导电膜结构,其特征在于,
所述光学功能层为AG层,所述AG层的雾度值在5%~60%,光泽度65~110。
3.根据权利要求2所述的导电膜结构,其特征在于,
所述AG层的铅笔硬度为3H以上;优选地,所述AG层的铅笔硬度的测试标准为ASTMD3363。
4.根据权利要求1所述的导电膜结构,其特征在于,
所述光学功能层为AR层,所述AR层的反射率在0.1%~1.5%。
5.根据权利要求1-4任一项所述的导电膜结构,其特征在于,
所述导电基层包括导电层;
可选地,所述导电层为纳米银线导电层,所述纳米银线导电层的表面阻抗小于等于100Ohm。
6.根据权利要求5所述的导电膜结构,其特征在于,
所述导电基层还包括硬化层和防护层;
所述硬化层和所述防护层分别设置在所述导电层的两个表面;所述硬化层设置在所述光学基膜上。
7.根据权利要求1所述的导电膜结构,其特征在于,
所述光学基膜的材料为PET、TAC或者SRF;
所述光学基膜的厚度为50~250μm;
可选地,所述光学基膜的铅笔硬度为HB;优选地,所述光学基膜的铅笔硬度的测试标准为ASTM D3363。
8.一种触控显示结构,其特征在于,由权利要求1-7任一项所述的导电膜结构以及显示屏组成;所述导电膜结构设置在所述显示屏上。
9.权利要求1-7任一项所述的导电膜结构的制备方法,其特征在于,包括:
在光学基膜的第一表面设置导电基层;
在光学基膜的第二表面设置光学功能层;所述光学功能层为AF层、AR层、AG层中的至少一种;或者
所述光学功能层为AF层、AR层、AG层中的至少两种的层叠。
10.一种触控显示结构的制备方法,其特征在于,包括:
采用权利要求9所述的导电膜结构的制备方法制得导电膜结构;
将所述导电膜结构连接于显示屏。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州市东晅科技有限公司,未经广州市东晅科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010058141.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





