[发明专利]像素驱动电路及其制作方法有效
申请号: | 202010055606.0 | 申请日: | 2020-01-17 |
公开(公告)号: | CN111244109B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 刘洺君;王坦 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 驱动 电路 及其 制作方法 | ||
本申请提供一种像素驱动电路及其制作方法,该制作方法通过将导电沟道图案部分导体化直接形成了薄膜晶体管的源漏极,并只需在钝化层开孔以及设置连接电极,实现了像素驱动电路中薄膜晶体管之间的连通,相较于现有技术中在导电沟道图案上制作薄膜晶体管的源漏极,减少了多道开孔工艺,简化了像素驱动电路的膜层结构,进而减少了生产工序,降低了生产成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种像素驱动电路及其制作方法。
背景技术
作为新一代显示技术,OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板具有低功耗、高色域、高亮度、宽视角、高响应速度等优点,因此备受市场的青睐。而OLED面板内具有呈阵列式排布的多个像素,每一像素都需要通过一像素驱动电路进行驱动。现有的顶栅型3T1C像素驱动电路能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压,使OLED面板的显示亮度更均匀。
但是,现有的顶栅型3T1C像素驱动电路制作时,需要对多个功能层进行开孔以实现薄膜晶体管之间的连接,造成生产工序复杂,生产成本高的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种像素驱动电路及其制作方法,以解决像素驱动电路的生产工序复杂、生产成本高的技术问题。
本申请实施例提供一种像素驱动电路的制作方法,所述像素驱动电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管,所述制作方法包括:
提供一基板;
在所述基板上依次形成遮光金属图案、缓冲层图案和导电沟道图案;
在所述导电沟道图案上依次形成绝缘层图案和栅极金属层图案,所述栅极金属层图案包括所述第一薄膜晶体管的第一栅极、所述第二薄膜晶体管的第二栅极以及所述第三薄膜晶体管的第三栅极;
对所述导电沟道图案进行导体化处理,以形成所述第一薄膜晶体管的第一导电沟道、所述第二薄膜晶体管的第二导电沟道、所述第三薄膜晶体管的第三导电沟道、第一电极、第二电极、第三电极、第四电极第五电极,所述第一电极为所述第一薄膜晶体管的源极,所述第二电极为所述第一薄膜晶体管的漏极,所述第三电极为所述第二薄膜晶体管的源极,所述第四电极为所述第二薄膜晶体管的漏极以及所述第三薄膜晶体管的源极,所述第五电极为所述第三薄膜晶体管的漏极;
在所述栅极金属图案上形成钝化层,并对所述钝化层进行图案化处理,以在所述钝化层上形成第一过孔和第二过孔;
在所述钝化层上沉积电极层,并对所述电极层进行图案化处理,以形成第一连接电极和第六电极,所述第一连接电极通过所述第一过孔连接所述第二电极和所述第二栅极,所述第六电极通过所述第二过孔连接所述第四电极。
在本申请所述的制作方法中,所述在所述基板上依次形成遮光金属图案、缓冲层图案、导电沟道图案的步骤包括:
在所述基板上沉积金属层,对所述金属层进行图案化处理,以形成遮光金属块、第一金属电极以及第二金属电极;
在经图案化处理后的所述金属层上沉积缓冲层,对所述缓冲层进行图案化处理,以覆盖所述遮光金属块,并暴露出所述第一金属电极和所述第二金属电极;
在经图案化处理后的所述缓冲层上沉积导电沟道层,对所述导电沟道层进行图案化处理,以形成导电沟道图案。
在本申请所述的制作方法中,所述第一金属电极与所述第一电极连接,所述第二金属电极与所述第五电极连接;
其中,所述第一薄膜晶体管的源极包括所述第一金属电极以及所述第一电极,所述第三薄膜晶体管的漏极包括所述第二金属电极以及所述第五电极。
在本申请所述的制作方法中,所述遮光金属块包括第一遮光金属块、第二遮光金属块和第三遮光金属块;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的