[发明专利]像素驱动电路及其制作方法

权利要求书

1.一种像素驱动电路的制作方法，所述像素驱动电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一基板；

在所述基板上沉积金属层，对所述金属层进行图案化处理，以形成遮光金属块、第一金属电极以及第二金属电极；

在经图案化处理后的所述金属层上沉积缓冲层，对所述缓冲层进行图案化处理，以完全覆盖所述遮光金属块，并暴露出所述第一金属电极和所述第二金属电极；

在经图案化处理后的所述缓冲层上沉积导电沟道层，对所述导电沟道层进行图案化处理，以形成导电沟道图案；

在所述导电沟道图案上依次形成绝缘层图案和栅极金属层图案，所述栅极金属层图案包括所述第一薄膜晶体管的第一栅极、所述第二薄膜晶体管的第二栅极以及所述第三薄膜晶体管的第三栅极；

对所述导电沟道图案进行导体化处理，以形成所述第一薄膜晶体管的第一导电沟道、所述第二薄膜晶体管的第二导电沟道、所述第三薄膜晶体管的第三导电沟道、第一电极、第二电极、第三电极、第四电极和第五电极，所述第一电极为所述第一薄膜晶体管的源极，所述第二电极为所述第一薄膜晶体管的漏极，所述第三电极为所述第二薄膜晶体管的源极，所述第四电极为所述第二薄膜晶体管的漏极以及所述第三薄膜晶体管的源极，所述第五电极为所述第三薄膜晶体管的漏极；

在所述栅极金属层图案上形成钝化层，并对所述钝化层进行图案化处理，以在所述钝化层上形成第一过孔和第二过孔；

在所述钝化层上沉积电极层，并对所述电极层进行图案化处理，以形成第一连接电极和第六电极，所述第一连接电极通过所述第一过孔连接所述第二电极和所述第二栅极，所述第六电极通过所述第二过孔连接所述第四电极。

2.根据权利要求1所述的像素驱动电路的制作方法，其特征在于，所述在所述导电沟道图案上依次形成绝缘层图案和栅极金属层图案的步骤包括：

在所述导电沟道图案上依次沉积绝缘层和栅极金属层；

在所述栅极金属层上涂布光刻胶；

对所述光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶图案；

以所述光刻胶图案为掩膜分别对所述栅极金属层和所述绝缘层进行刻蚀，以形成栅极金属图案和绝缘层图案。

3.根据权利要求2所述的像素驱动电路的制作方法，其特征在于，在形成所述栅极金属图案和所述绝缘层图案后，采用自对准工艺对所述导电沟道图案进行导体化处理。

4.一种像素驱动电路，其特征在于，包括：

基板；

设置在所述基板上的遮光金属块、第一金属电极和第二金属电极；

设置在所述遮光金属块上的缓冲层图案，所述缓冲层图案完全覆盖所述遮光金属块；

设置在所述缓冲层图案上的导电沟道图案，所述导电沟道图案包括第一导电沟道、第二导电沟道、第三导电沟道、第一电极、第二电极、第三电极、第四电极和第五电极；

依次叠层设置在所述导电沟道图案上的绝缘层图案、栅极金属层图案，所述栅极金属层图案包括第一栅极、第二栅极和第三栅极；

设置在所述遮光金属块、所述导电沟道图案和所述栅极金属层图案上的钝化层，所述钝化层上设有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露出所述第二电极远离所述基板的一侧和所述第二栅极靠近所述第一栅极的一侧，所述第二过孔暴露出所述第四电极远离所述基板的一侧；

设置在所述钝化层上的第一连接电极和第六电极，所述第一连接电极通过所述第一过孔连接所述第二电极和所述第二栅极，所述第六电极通过所述第二过孔连接所述第四电极。

5.根据权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一金属电极与所述第一电极连接，所述第二金属电极与所述第五电极连接；

其中，第一薄膜晶体管的源极包括所述第一金属电极以及所述第一电极，第三薄膜晶体管的漏极包括所述第二金属电极以及所述第五电极。