[发明专利]一种毒气吸附装置及其制备方法在审
| 申请号： | 202010055385.7 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111054185A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 李华伟;严圣勇;向奔 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | B01D53/04 | 分类号： | B01D53/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 许庆胜 |
| 地址： | 510060 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 毒气 吸附 装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种毒气吸附装置，其特征在于，包括：
硅晶片；
纳米凹槽，所述纳米凹槽设置在所述硅晶片的正面，所述纳米凹槽的凹陷深度为2-8nm，所述纳米凹槽的直径为2～3μm；
玻璃基片，所述硅晶片的背面键合在所述玻璃基片上。
2.根据权利要求1所述的毒气吸附装置，其特征在于，所述纳米凹槽的数量为多条，相邻两条的纳米凹槽相互平行设置在所述硅晶片的正面。
3.根据权利要求2所述的毒气吸附装置，其特征在于，相邻两条的纳米凹槽的间隔范围为40～60μm。
4.根据权利要求2所述的毒气吸附装置，其特征在于，相邻两条纳米凹槽的凹陷深度以0.1-4nm等差递减。
5.根据权利要求1所述的毒气吸附装置，其特征在于，所述硅晶片选自N型硅晶片；所述玻璃基片选自高硼酸玻璃或微晶玻璃。
6.根据权利要求1所述的毒气吸附装置，其特征在于，所述纳米凹槽设置在所述硅晶片的正面具体为：所述纳米凹槽通过刻蚀技术设置在所述硅晶片的正面。
7.根据权利要求6所述的毒气吸附装置，其特征在于，所述刻蚀技术为为氢氟酸湿法刻蚀技术。
8.根据权利要求1所述的毒气吸附装置，其特征在于，所述硅晶片的背面键合在所述玻璃基片上具体为：所述硅晶片的背面通过静电键合技术键合在所述玻璃基片上。
9.一种毒气吸附装置的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、采用刻蚀技术，将硅晶片的正面刻蚀纳米凹槽，所述纳米凹槽的凹陷深度为2-8nm，所述纳米凹槽的直径为2～3μm；
步骤2、采用静电键合技术，将硅晶片的背面与玻璃基片键合，得到毒气吸附装置。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀技术具体为氢氟酸湿法刻蚀技术。
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