[发明专利]存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

衬底，所述衬底包括器件区和切割区，所述切割区位于所述器件区的一侧；

位于所述衬底上的存储单元，所述存储单元位于所述器件区，所述器件区中包括沟道柱；

覆盖所述切割区的填充层；

位于所述填充层上的第二掩膜层；以及

位于所述填充层中的空腔，所述空腔为连通所述填充层的上下表面的通道孔并且上部填充有氧化物以形成封孔结构，且位于所述器件区的沟道柱朝向所述填充层的方向上，

其中，所述第二掩膜层的开口限定所述空腔的大小，所述第二掩膜层的顶部表面限制所述氧化物的顶部表面。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述空腔包括多个。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述空腔的截面形状包括矩形，梯形，三角形中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述空腔的底部到达所述衬底的表面。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述空腔的高度不高于所述存储单元的高度。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述填充层的高度不低于所述存储单元的高度。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述存储单元包括核心区和台阶区，所述填充层覆盖所述存储单元的台阶区。

8.一种存储器件的制造方法，包括：

在衬底上形成多个存储单元，所述衬底包括器件区和切割区，所述切割区位于所述器件区的一侧，所述器件区中包括沟道柱；

形成覆盖所述切割区的填充层；

在所述填充层上形成第二掩膜层；

经由所述第二掩膜层的开口在所述填充层中形成通道孔，所述通道孔的底部到达所述衬底表面，所述通道孔位于所述沟道柱朝向所述填充层的方向上；

在所述通道孔上沉积氧化物，所述氧化物的填充率较低，容易在所述通道孔的开口处造成堵塞，形成空腔；以及

进行表面平坦化处理，所述第二掩膜层作为停止层以保留所述开口内的氧化物。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述在衬底上形成多个存储单元和形成覆盖所述切割区的填充层的步骤之间，还包括：

在所述存储单元的表面形成第一掩膜层，

其中，所述存储单元包括核心区和台阶区，所述第一掩膜层位于所述存储单元的核心区。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，所述形成覆盖所述切割区的填充层的步骤包括：

形成覆盖所述存储单元和切割区放入第一氧化层；

在所述第一氧化层的表面形成第二氧化层；

在所述第二氧化层的表面形成第二掩膜层；以及

去除所述核心区表面的第一氧化层，第二氧化层和第二掩膜层，

其中，所述第一氧化层和所述第二氧化层统称为所述填充层，所述第二掩膜层位于所述填充层上。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述第一氧化层包括高密度等离子体氧化物，所述第二氧化层包括正硅酸乙酯。

12.根据权利要求10所述的制造方法，其中，在去除所述核心区表面的第一氧化层，第二氧化层和第二掩膜层的步骤之后，还包括：

采用化学机械研磨方法进行表面平坦化处理。

13.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述空腔包括多个。

14.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述空腔的截面形状包括矩形，梯形，三角形中的任意一种。

15.根据权利要求8或9所述的制造方法，其中，所述填充层覆盖所述存储单元的台阶区。