[发明专利]一种非制冷红外图像传感器有效

专利信息
申请号: 202010054365.8 申请日: 2020-01-17
公开(公告)号: CN111246131B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 刘大河;施薛优;陈光毅;李克之 申请(专利权)人: 北京安酷智芯科技有限公司
主分类号: H04N5/369 分类号: H04N5/369;H04N5/378;H04N5/33
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 董李欣
地址: 100080 北京市海淀区中*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 制冷 红外 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种非制冷红外图像传感器,其特征在于,包括:

感光像素阵列,所述感光像素阵列包括N行M列感光像素;

遮挡像素阵列,每个遮挡像素对应一个遮挡电阻Rsm,所述遮挡像素阵列的列数为X;

针对所述遮挡像素阵列的每一行,对应设置有一个X-Y选通开关,所述X-Y选通开关用于从X个Rsm中选通Y个用于产生行级偏压Vfid;

其中,M、N、X和Y均为不小于1的整数,且X大于Y;

Y大于1时,从X个Rsm中选出的Y个Rsm并联;

还包括:所述遮挡像素的行数为N+T,实际工作的遮挡像素的行数为N,当实际工作的遮挡像素的A行遮挡像素失效时,所述A行遮挡像素被跳过,所述T行中的A行遮挡像素连入电路;

其中,A和T为不小于1的整数,且A不大于T;

还包括:所述当实际工作的遮挡像素的A行遮挡像素失效时,所述A行遮挡像素被跳过,所述T行中的A行遮挡像素连入电路,通过行选逻辑电路完成,所述行选逻辑电路包括编号由0至N+T-1的N+T行子电路,其中:

第0行子电路由D触发器、延迟单元和与门构成,第1行至第N+T-1行子电路由D触发器、延迟单元、与门、第一开关、第二开关和第三开关构成;

第0行子电路的D触发器输入端接行选起始信号,输出端接延迟单元和与门的第一输入端,延迟单元的输出接与门的第二输入端,与门的输出为第0行子行选信号;

第i行子电路的D触发器输入端接第一开关的第一端,D触发器的输出端接第二开关的第一端和第三开关的第一端,第一开关的第二端与第二开关的第二端与第i-1行D触发器的输出端相连,第三开关的第二端与延迟单元和与门的第一输入端相连,延迟单元的输出接与门的第二输入端,与门的输出为第i行子行选信号;

其中,同一行的第一、第三开关受同一信号控制,第二开关受与第一、第三开关相反的信号控制,当实际工作的遮挡像素的A行遮挡像素失效后,所述A行遮挡像素的第一、第三开关断开且第二开关闭合,所述T行遮挡像素中第T行至第T+A-1行遮挡像素的第一、第三开关闭合且第二开关断开;

其中,1≤i≤N+T-1。

2.如权利要求1所述的图像传感器,还包括盲像素阵列,其特征在于:

每个盲像素对应一个盲电阻Rd,所述盲像素阵列的行数为P;

针对所述盲像素阵列的每一列,对应设置有一个P-Q选通开关,所述P-Q选通开关用于从P个Rd中选通Q个用于产生列级参比电流Id;

其中,P和Q均为不小于1的整数,且P大于Q。

3.如权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,Q大于1时,从P个Rd选出的Q个Rd并联。

4.如权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述盲像素的列数为M+1,实际工作的盲像素为前M列,当实际工作盲像素的1列盲像素失效时,所述1列盲像素被跳过,最后1列盲像素连入电路。

5.如权利要求4所述的图像传感器,其特征在于,所述当实际工作盲像素的1列盲像素失效时,所述1列盲像素被跳过,最后1列盲像素连入电路,通过列选电路完成,所述列选电路包括编号由0至M列的M+1个子列选电路,其中:

第0列至第M-1个子列选电路中的每个子列选电路由盲电阻RD、第一开关、第二开关组成,第M列子列选电路由盲电阻RD组成;

第i个子列选电路中,盲电阻RD的第一端接Vsk,第二端接第一开关的第一端,第一开关的第二端接第二开关的第一端,第二开关的第二端接第i+1个子列选电路的RD的第二端,第一开关的第二端还连接对应列的读出电路的输入端,其中,0≤i≤M-1;

第M个子列选电路中,盲电阻RD的第一端接Vsk,第二端接第M-1个子列选电路中的第二开关的第二端;

其中,RD为P个Rd或Q个Rd的整体表示。

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