[发明专利]用于LDMOS的屏蔽接触结构及其制备方法

说明书

本发明公开了一种用于LDMOS的屏蔽接触结构，包含设置于多晶硅栅上的第一接触点、设置于STI区内的第二接触点和连接第一接触点和第二接触点的导电金属，第二接触点设置于STI区内的多晶硅上。该屏蔽接触结构能够确保接触点在STI内具有稳定的深度，提高了屏蔽接触结构以及LDMOS的可靠性。本发明同时提供一种包含该屏蔽接触结构的LDMOS器件以及一种用于LDMOS的屏蔽接触结构的制备方法。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种用于LDMOS的屏蔽接触结构、具有该屏蔽接触结构的LDMOS器件以及该屏蔽接触结构的制备方法。

背景技术

LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)因其具有耐高压、高增益、低失真等优点而被广泛应用于功率集成电路中，而其本身的性能的优劣及其工作的可靠性直接决定了整个功率集成电路性能的优劣。LDMOS的可靠性由高的BVD(击穿电压)和较低的Ron-sp(比导通电阻)来决定。如图1-2所示，现有技术采用屏蔽接触结构来提高LDMOS的可靠性，即在多晶硅(Poly)110栅上设置导电的第一接触点(contact)111，并通过导电金属130与设置在STI(浅槽隔离)区120内的导电的第二接触点121连接，构成屏蔽接触结构(shielding contactstructure)100。现有STI区120内通常填充有氧化物，而以传统的蚀刻方式在填充有氧化物的STI区120内设置第二接触点无法准确限定接触点的深度，极易导致屏蔽接触结构100甚至半导体器件不稳定，直接影响整个功率集成电路的性能。因此，如何能够确保屏蔽接触结构的稳定性成为半导体领域内亟待解决的问题。

发明内容

为了解决现有的技术问题，本发明提出了一种能够确保接触点在STI内具有稳定的深度屏蔽接触结构、具有该屏蔽接触结构的LDMOS器件以及该屏蔽接触结构的制备方法。

依据本发明，提供一种用于LDMOS的屏蔽接触结构，包含设置于多晶硅栅上的第一接触点、设置于STI区内的第二接触点和连接第一接触点和第二接触点的导电金属，第二接触点设置于STI区内的多晶硅上。

依据本发明的一个实施例，STI区内填充有氧化物，多晶硅沉积于氧化物上。

依据本发明的一个实施例，第一接触点包含蚀刻于多晶硅栅上的第一接触孔和填充于第一接触孔内的导电材料。

依据本发明的一个实施例，第二接触点包含蚀刻于多晶硅上的第二接触孔和填充于第二接触孔内的导电材料。

依据本发明，提供一种LDMOS器件，包含上述屏蔽接触结构。

依据本发明，提供一种用于LDMOS的屏蔽接触结构的制备方法，包含以下步骤：

步骤1：在多晶硅栅上设置第一接触点；

步骤2：在STI区内沉积多晶硅，并在多晶硅上设置第二接触点；

步骤3：使用导电金属将第一接触点和第二接触点电连接。

依据本发明的一个实施例，步骤2包含在STI区内填充有氧化物，并将多晶硅沉积于氧化物上。

依据本发明的一个实施例，步骤1包含在多晶硅栅上蚀刻出第一接触孔以及在第一接触孔内填充导电材料。

依据本发明的一个实施例，步骤2包含在多晶硅上蚀刻出第二接触孔以及在第二接触孔内填充导电材料。

由于采用以上技术方案，本发明与现有技术相比具有如下优点：通过在STI内填充一层氧化物后再沉积一层多晶硅，并将接触点设置于多晶硅上，确保接触点在STI内具有稳定的深度，提高了屏蔽接触结构以及LDMOS的可靠性。

附图说明

图1示出了现有技术中包含屏蔽接触结构的LDMOS的示意图；