[发明专利]用于LDMOS的屏蔽接触结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010054253.2 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111223917A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 杨杰;李煦;夏洪旭 | 申请（专利权）人： | 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 刘小峰 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 ldmos 屏蔽 接触 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于LDMOS的屏蔽接触结构，其特征在于，包含设置于多晶硅栅上的第一接触点、设置于STI区内的第二接触点和连接所述第一接触点和所述第二接触点的导电金属，其特征在于，所述第二接触点设置于所述STI区内的多晶硅上。
2.根据权利要求1所述的屏蔽接触结构，其特征在于，所述STI区内填充有氧化物，所述多晶硅沉积于所述氧化物上。
3.根据权利要求1所述的屏蔽接触结构，其特征在于，所述第一接触点包含蚀刻于所述多晶硅栅上的第一接触孔和填充于所述第一接触孔内的导电材料。
4.根据权利要求1所述的屏蔽接触结构，其特征在于，所述第二接触点包含蚀刻于所述多晶硅上的第二接触孔和填充于所述第二接触孔内的导电材料。
5.一种LDMOS器件，其特征在于，包含上述权利要求任一项所述的屏蔽接触结构。
6.一种用于LDMOS的屏蔽接触结构的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：
步骤1：在多晶硅栅上设置第一接触点；
步骤2：在STI区内沉积多晶硅，并在所述多晶硅上设置第二接触点；
步骤3：使用导电金属将所述第一接触点和所述第二接触点电连接。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2包含在STI区内填充有氧化物，并将所述多晶硅沉积于所述氧化物上。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1包含在所述多晶硅栅上蚀刻出第一接触孔以及在所述第一接触孔内填充导电材料。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2包含在所述多晶硅上蚀刻出第二接触孔以及在所述第二接触孔内填充导电材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于和舰芯片制造（苏州）股份有限公司，未经和舰芯片制造（苏州）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010054253.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种智能电视、摄像头控制方法及存储介质
- 下一篇：一种隐伏含水体的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
