[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备半导体衬底、及设置在半导体衬底的半导体元件。第1绝缘膜被覆半导体衬底。第1侧壁膜设置在第1绝缘膜的侧部，且紫外线的吸收系数大于第1绝缘膜。

相关申请的引用

本申请基于在2019年7月16日提出申请的现有日本专利申请第2019-131302号、及在2019年12月12日申请的现有日本专利申请第2019-224855号的优先权利益，且寻求该利益，这些日本专利申请的内容整体通过引用包含在本申请。

技术领域

本实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

在具有三维配置着存储单元的立体型存储单元阵列的半导体存储器中，有时积层构造的界面或贴合面因切割的影响而剥离。这种积层构造的界面或贴合面的剥离在刀片切割中显著发生，在如激光切割那样使用激光的切割方法中也会发生。

发明内容

提供一种能够在切割步骤中抑制半导体装置的材料层的剥离的半导体装置及其制造方法。

本实施方式的半导体装置具备半导体衬底、及设置在半导体衬底的半导体元件。第1绝缘膜被覆半导体衬底。第1侧壁膜设置在第1绝缘膜的侧部，且紫外线的吸收系数大于第1绝缘膜。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体装置的构成例的剖视图。

图2(A)、(B)是表示第1实施方式的半导体装置的构成例的俯视图。

图3是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。

图4(A)、(B)是表示存储单元阵列的构成例的剖视图。

图5(A)、(B)是表示继图3之后的制造方法的剖视图。

图6是表示继图5之后的制造方法的剖视图。

图7是表示继图6之后的制造方法的剖视图。

图8是表示继图7之后的制造方法的剖视图。

图9是表示继图8之后的制造方法的剖视图。

图10是表示继图9之后的制造方法的剖视图。

图11是表示继图10之后的制造方法的剖视图。

图12是表示继图11之后的制造方法的剖视图。

图13是表示继图12之后的制造方法的剖视图。

图14是表示继图13之后的制造方法的剖视图。

图15是表示继图14之后的制造方法的剖视图。

图16是表示继图15之后的制造方法的剖视图。

图17是表示继图16之后的制造方法的剖视图。

图18是表示继图17之后的制造方法的剖视图。

图19是表示继图18之后的制造方法的剖视图。

图20是表示第2实施方式的半导体装置的构成例的剖视图。

图21是表示第3实施方式的半导体装置的构成例的剖视图。

图22是表示第4实施方式的半导体装置的构成例的剖视图。

图23是表示第5实施方式的半导体装置的构成例的剖视图。

图24是表示第7实施方式的半导体装置的构成例的俯视图。