[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：半导体衬底；

半导体元件，设置在所述半导体衬底；

第1绝缘膜，被覆所述半导体元件；及

第1侧壁膜，设置在所述第1绝缘膜的侧部，且紫外线的吸收系数大于所述第1绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1侧壁膜包含氮化硅膜。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1侧壁膜包含金属膜。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第1侧壁膜包含钨、钛、铝中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其具备被覆第1侧壁膜的外侧的第2侧壁膜。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第1绝缘膜包含第1层间绝缘膜及设置在所述第1层间绝缘膜的上方的第2层间绝缘膜，且

第1侧壁膜或所述第2侧壁膜直接接触所述第1层间绝缘膜与所述第2层间绝缘膜的界面。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述半导体元件包含：第1半导体电路，设置在所述半导体衬底上，且被所述第1层间绝缘膜覆盖；及第2半导体电路，设置在该第1半导体元件的上方。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第1半导体电路为CMOS电路且所述第2半导体电路为存储单元，或者，所述第1半导体电路为存储单元且所述第2半导体电路为CMOS电路。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中跨所述界面设置的导电体沿着垂直于所述半导体衬底的方向纵断。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述导电体包含铜。

11.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述界面是所述第1层间绝缘膜包含的氧化硅膜与所述第2层间绝缘膜包含的氧化硅膜相接的面。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其更具备包围所述半导体元件的周围的密封圈，且

所述第1侧壁膜设置在比所述密封圈更靠外侧，并包含与所述密封圈相同的材料。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其更具备多个密封圈，所述多个密封圈包围所述半导体元件的周围，并在与所述半导体衬底的上表面大致平行的方向上以第1间隔排列，且

所述第1侧壁膜隔开大于所述第1间隔的间隔而设置在该多个密封圈的外侧。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述多个密封圈中的最外侧的密封圈与所述第1侧壁膜之间的间隔为9μm以上。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1侧壁膜设置在所述第1绝缘膜的整个侧面。

16.一种半导体装置的制造方法，包括：对于具备半导体衬底、多个半导体元件、第1绝缘膜及光吸收膜的半导体衬底，

沿着所述多个半导体元件的周围，照射紫外线激光而在所述第1绝缘膜内形成槽，并在所述第1绝缘膜的侧面形成包含所述光吸收膜的至少一部分的第1侧壁膜，且

利用刀片切断邻接的所述第1侧壁膜之间，

所述多个半导体元件设置在所述半导体衬底，所述第1绝缘膜被覆所述半导体衬底，所述光吸收膜设置在所述第1绝缘膜内，紫外线的吸收系数大于所述第1绝缘膜，且从垂直于所述半导体衬底的方向上观察时形成在所述多个半导体元件的周围。

17.根据权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其中通过照射所述紫外线激光而形成所述吸收膜的至少一部分熔融而成的熔融部，且

在所述第1侧壁膜的侧面形成所述熔融部熔接后固化而成的第2侧壁膜。