[发明专利]基板处理方法

说明书

本发明提供基板处理方法，在使基板自转公转的基板处理装置中，能够提高成膜的膜厚分布的均匀性。基板处理装置具有：旋转台，其用于载置被设于处理室内的基板；第1气体供给部，其供给第1气体；以及第2气体供给部，其供给第2气体，该基板处理方法为：在该基板处理装置中，所述旋转台以旋转轴为中心进行公转，并且所述基板进行自转，利用所述旋转台的公转，所述基板在经过供给所述第1气体的区域之后，经过供给所述第2气体的区域，从而在所述基板沉积由所述第1气体和所述第2气体之间的反应所生成的膜而进行成膜，其中，该基板处理方法具有：在所述基板进行自转的状态下所述旋转台顺时针公转而在所述基板形成膜的工序；以及在所述基板进行自转的状态下所述旋转台逆时针公转而在所述基板形成膜的工序。

技术领域

本公开涉及一种基板处理方法。

背景技术

公知有一种基板处理装置，一边使在设于处理容器内的旋转台载置的基板公转一边进行由处理气体进行的处理，载置基板的载置台绕自转轴自转自如地设置，一边使载置台绕自转轴自转一边使旋转台也旋转，进行基板处理，该自转轴在沿着旋转台的旋转轴的方向上延伸(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2017-139449号公报

发明内容

发明要解决的问题

如专利文献1所记载的那样，通过使基板进行自转公转，从而能够使在基板成膜的膜的膜厚分布均匀，但由于半导体元件的精细化等，因此谋求进一步的膜厚分布均匀化。

用于解决问题的方案

根据本实施方式的一观点，对于基板处理方法，基板处理装置具有：旋转台，其用于载置被设于处理室内的基板；第1气体供给部，其供给第1气体；以及第2气体供给部，其供给第2气体，该基板处理方法为：在该基板处理装置中，所述旋转台以旋转轴为中心进行公转，并且所述基板进行自转，利用所述旋转台的公转，所述基板在经过供给所述第1气体的区域之后，经过供给所述第2气体的区域，从而在所述基板沉积由所述第1气体和所述第2气体之间的反应所生成的膜而进行成膜，其中，该基板处理方法具有：在所述基板进行自转的状态下所述旋转台顺时针公转而在所述基板形成膜的工序；以及在所述基板进行自转的状态下所述旋转台逆时针公转而在所述基板形成膜的工序。

发明的效果

根据公开的基板处理方法，在使基板自转公转的基板处理装置中，能够更进一步提高成膜的膜厚分布的均匀性。

附图说明

图1是本实施方式所使用的基板处理装置的纵剖侧视图。

图2是本实施方式所使用的基板处理装置的横剖俯视图。

图3是在本实施方式所使用的基板处理装置内设置的旋转台的立体图。

图4是本实施方式所使用的基板处理装置的放大纵剖侧视图。

图5是使设于旋转台的载置台自转的磁齿轮机构的放大立体图。

图6是磁齿轮机构的第1作用图。

图7是磁齿轮机构的第2作用图。

图8是磁齿轮机构的第3作用图。

图9是表示本实施方式的基板处理方法的流程图。

图10是一边使晶圆自转一边使旋转台公转而成膜的膜的膜厚的说明图。

图11是一边使晶圆自转一边使旋转台以CW公转而成膜的膜的膜厚分布的说明图。

图12是一边使晶圆自转一边使旋转台以CCW公转而成膜的膜的膜厚分布的说明图。