[发明专利]基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理方法，基板处理装置具有：旋转台，其用于载置被设于处理室内的基板；第1气体供给部，其供给第1气体；以及第2气体供给部，其供给第2气体，该基板处理方法为：在该基板处理装置中，所述旋转台以旋转轴为中心进行公转，并且所述基板进行自转，利用所述旋转台的公转，所述基板在经过供给所述第1气体的区域之后，经过供给所述第2气体的区域，从而在所述基板沉积由所述第1气体和所述第2气体之间的反应所生成的膜而进行成膜，

其中，该基板处理方法具有：

在所述基板进行自转的状态下所述旋转台顺时针公转而在所述基板形成膜的工序；以及

在所述基板进行自转的状态下所述旋转台逆时针公转而在所述基板形成膜的工序。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述第1气体为吸附于所述基板的表面的原料气体，

所述第2气体为与吸附于所述基板的原料气体进行反应而在所述基板生成作为膜而沉积的反应生成物的氧化气体。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

所述第1气体供给部以及所述第2气体供给部配置在所述旋转台的周向上，在所述处理室内形成有被供给所述第1气体的吸附区域和被供给所述第2气体的氧化区域，

在所述旋转台的周向上的、所述吸附区域和所述氧化区域之间，设有供给用于分离所述吸附区域和所述氧化区域的氮气的分离气体供给部。

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，

在所述旋转台的周向上的、所述吸附区域和所述氧化区域之间设有生成等离子体的等离子体处理区域。

5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，

在所述旋转台的以所述旋转轴为中心的顺时针旋转时，在所述旋转台的周向上配置有所述吸附区域、所述氧化区域、所述等离子体处理区域。