[发明专利]一种双面电池及其制作方法

权利要求书

1.一种双面电池制作方法，其特征在于，包括：

获得双面电池前驱体，所述双面电池前驱体包括由下至上依次层叠的第一钝化层、硅基底、扩散层、氧化层、第二钝化层；

在所述双面电池前驱体的下表面制作背电极；

在所述下表面除所述背电极以外的区域喷涂氢氟酸溶液，并在喷涂有所述氢氟酸溶液的区域中制作铝栅线，得到预处理双面电池前驱体；

烘干所述预处理双面电池前驱体，去除所述铝栅线覆盖以外的所述氢氟酸溶液；

在烘干后预处理双面电池前驱体的上表面制作正电极，并进行烧结，得到双面电池。

2.如权利要求1所述的双面电池制作方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液中氢氟酸的体积分数为20％至40％，包括端点值。

3.如权利要求1所述的双面电池制作方法，其特征在于，获得双面电池前驱体，所述双面电池前驱体包括由下至上依次层叠的第一钝化层、硅基底、扩散层、氧化层、第二钝化层包括：

获得所述硅基底；

在所述硅基底的上表面形成所述扩散层；

刻蚀具有所述扩散层的硅基底的四周，并抛光具有所述扩散层的硅基底的下表面；

在所述扩散层的上表面形成所述氧化层；

在经过抛光的下表面形成第一钝化层；

在所述氧化层的上表面形成所述第二钝化层。

4.如权利要求3所述的双面电池制作方法，其特征在于，在经过抛光的下表面形成第一钝化层包括：

在经过抛光的下表面形成氧化铝层；

在所述氧化铝层的下表面形成氮化硅层。

5.如权利要求4所述的双面电池制作方法，其特征在于，在经过抛光的下表面形成氧化铝层包括：

采用原子层沉积法或者等离子体增强化学气相沉积法，在经过抛光的下表面形成氧化铝层。

6.如权利要求3所述的双面电池制作方法，其特征在于，在所述扩散层的上表面形成所述氧化层包括：

采用热氧化法，在所述扩散层的上表面形成所述氧化层。

7.如权利要求3所述的双面电池制作方法，其特征在于，在获得所述硅基底之前，还包括：

对所述硅基底进行制绒处理。

8.如权利要求3所述的双面电池制作方法，其特征在于，在所述硅基底的上表面形成所述扩散层之后，还包括：

在所述扩散层与所述正电极对应的区域形成重掺杂区。

9.如权利要求8所述的双面电池制作方法，其特征在于，在所述扩散层与所述正电极对应的区域形成重掺杂区包括：

采用激光掺杂方式，在所述扩散层与所述正电极对应的区域形成重掺杂区。

10.一种双面电池，其特征在于，所述双面电池是由权利要求1至9任一项所述的双面电池制作方法得到。