[发明专利]晶片的干燥装置、干燥方法、清洗系统及清洗干燥装置

说明书

本申请公开了一种晶片的干燥装置、干燥方法、清洗系统及清洗干燥装置。该干燥装置包括：腔室；转盘，位于所述腔室内，所述转盘的侧壁适于固定晶片；以及换能器，连接至所述转盘，适于根据超声频电源提供超声波，并将所述超声波辐射至所述晶片，以使所述晶片孔内的水分子振动，其中，所述晶片具有开孔的表面被配置为背对所述转盘的轴线。该干燥装置利用换能器生成超声波，以撕裂水分子，并利用转动转盘使晶片开孔底部的水分子向开孔外部做离心运动，提高了对晶片干燥的效率和可靠性，从而提高了最终形成的器件的良率和可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地，涉及一种晶片的干燥装置、干燥方法、清洗系统及清洗干燥装置。

背景技术

随着半导体器件结构的超微小化、高集成化，其对杂质含量越来越敏感，而半导体工艺制程中不可避免会引入一些颗粒、有机物、金属和氧化物等污染物。为此，现有技术提出了槽式清洗和单片清洗的方法来清洗半导体器件。

存储器件的存储密度的提高与半导体制造工艺的进步密切相关。随着半导体制造工艺的特征尺寸越来越小，存储器件的存储密度越来越高。为了进一步提高存储密度，已经开发出三维结构的存储器件(即，3D存储器件)。3D存储器件包括沿着垂直方向堆叠的多个存储单元，在单位面积的晶片上可以成倍地提高集成度，并且可以降低成本。

对于NAND结构的3D存储器件，其通常在形成栅叠层结构之后，形成贯穿栅叠层结构的开孔，之后再形成沟道柱的外延层即各个功能层，以形成多个存储单元。然而，随着3D存储器件的堆叠层数不断增多，其开孔的深度也会越来越深，在形成沟道柱的过程中，采用传统的清洗方法已经难以完全去除位于开口底部的污染物，并且传统的自然晾干的干燥方法也不适用于当前的晶片，其不仅效率低下而且可能会有水分残留。

因此，期望进一步改进晶片的清洗系统，以有效地去除位于开孔中的污染物，并且对开孔内部进行充分干燥，从而提高半导体器件的良率和可靠性。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种晶片的干燥装置、干燥方法、清洗系统及清洗干燥装置，从而有效地去除位于开孔中的污染物，并且对开孔内部进行充分干燥。

根据本发明的一方面，提供一种晶片的干燥装置，包括：腔室；转盘，位于所述腔室内，所述转盘的侧壁适于固定晶片，且所述转盘可绕其轴线旋转；以及第一换能器，连接至所述转盘，适于根据超声频电源提供超声波，并将所述超声波辐射至所述晶片，以使所述晶片孔内的水分子振动，其中，所述晶片具有开孔的表面被配置为背对所述转盘的所述轴线。

优选地，还包括：真空泵，连接至所述腔室的出气口，其中，所述腔室还具有进气口，适于向所述腔室内提供清洗气体。

优选地，所述真空泵经由出气管道连接至所述出气口，所述清洗气体经由进气管道通入所述腔室。

优选地，还包括：加热器，连接至所述进气管道，以加热所述清洗气体。

优选地，所述转盘的所述侧壁上具有多个等间距分布的固定装置，所述固定装置适于固定所述晶片。

根据本发明的第二方面，提供一种晶片的干燥方法，包括：将晶片固定至转盘的侧壁，所述转盘位于腔室内，所述晶片具有开孔的表面被配置为背对所述转盘的轴线；绕轴线旋转所述转盘；以及根据超声频电源提供超声波，并将所述超声波辐射至所述晶片，以使所述晶片孔内的水分子振动。

优选地，还包括：经由所述腔室的进气口向所述腔室内提供清洗气体，并经由所述腔室的出气口抽取所述清洗气体。

优选地，还包括：在所述清洗气体通入所述腔室内之前，加热所述清洗气体。

优选地，还包括：对所述腔室抽真空。

根据本发明的第三方面，提供一种清洗系统，包括：清洗装置，适于清洗晶片；以及如上所述的干燥装置，适于对所述晶片进行干燥。