[发明专利]蚀刻方法、等离子体处理装置和处理系统

说明书

本发明提供一种膜的蚀刻方法。一个实施方式的蚀刻方法包括在基片上形成含硅层的步骤。基片具有膜和掩模。含硅层由使用含有硅的前体气体的等离子体处理形成。含硅层包括硅、碳和氮。蚀刻方法还包括进行膜的等离子体蚀刻的步骤。从在基片上形成含硅层的步骤的开始时刻到进行膜的等离子体蚀刻的步骤的结束时刻的期间中，基片配置在减压了的环境下。由此，能够在掩模上形成与硅氧化层不同的层来对膜进行蚀刻。

技术领域

本发明例示的实施方式涉及蚀刻方法、等离子体处理装置和处理系统。

背景技术

在电子器件的制造中，为了将掩模的图案转印至基片的膜而进行等离子体蚀刻。在等离子体蚀刻执行前为了使掩模的开口宽幅变窄，有时在基片上形成硅氧化层。基片的膜中，利用等离子体蚀刻对硅氧化层有选择地进行蚀刻。这样的技术记载于专利文献1。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-76621号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

要求在掩模上形成与硅氧化层不同的层来对膜进行蚀刻。

用于解决问题的技术手段

在一个例示的实施方式中，提供一种对膜进行的蚀刻方法。蚀刻方法包括在基片上形成含硅层的步骤。基片具有膜和掩模。掩模设置在膜上并被图案化。含硅层通过使用了含硅的前体气体的等离子体处理而形成。含硅层包括硅、碳和氮。含硅层的材料与膜的材料不同。蚀刻方法还包括进行膜的等离子体蚀刻的步骤。从在基片上形成含硅层的步骤的开始时刻到进行膜的等离子体蚀刻的步骤的结束时刻为止的期间中，基片配置在被减压了的环境下。

发明效果

根据一个例示的实施方式，能够在掩模上形成与硅氧化层不同的层来对膜进行蚀刻。

附图说明

图1是一个例示的实施方式的蚀刻方法的流程图。

图2中，图2的(a)是掩模的形成前的一个状态下的一例的基片的局部放大截面图，图2的(b)是掩模的形成前的另一状态下的一例的基片的局部放大截面图，图2的(c)是一例的基片的局部放大截面图。

图3是概略表示能够在图1所示的蚀刻方法的执行中使用的一例的等离子体处理装置的图。

图4中，图4的(a)是方法MT的步骤ST1执行后的状态下的一例的基片的局部放大截面图，图4的(b)是进行了含硅层的回蚀后的状态下的一例的基片的局部放大截面图。

图5中，图5的(a)是方法MT的步骤ST2执行后的状态下的一例的基片的局部放大截面图，图5的(b)是掩模除去后的状态下的一例的基片的局部放大截面图。

图6是图1所示的蚀刻方法的步骤ST1的一例的时序图。

图7是概要表示能够在图1所示的蚀刻方法的执行中使用的一例的处理系统的图。

图8中，图8的(a)是处理前的样品的图像，图8的(b)是比较实验的步骤ST2应用后的样品的图像，图8的(c)是实验的步骤ST2应用后的样品的图像。

图9是表示另一实验中制作出的含硅层的X射线光电子分光法得到的Si-2p谱的图。

附图标记说明

1……等离子体处理装置，10……腔室，GS……气体供给部，62……第一高频电源，64……第二高频电源，MC……控制部，MT……方法，W……基片。

具体实施方式

以下说明各种例示的实施方式。