[发明专利]蚀刻方法、等离子体处理装置和处理系统

权利要求书

1.一种对膜进行的蚀刻方法，其特征在于，包括：

在基片上形成含硅层的步骤，其中，该基片具有所述膜和设置在该膜上的被图案化的掩模；和

进行所述膜的等离子体蚀刻的步骤，

所述含硅层通过使用了含有硅的前体气体的等离子体处理而形成，包含硅、碳和氮，该含硅层的材料与所述膜的材料不同，

从在基片上形成含硅层的所述步骤的开始时刻到进行所述膜的等离子体蚀刻的所述步骤的结束时刻的期间中，所述基片配置在被减压了的环境下。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述前体气体是氨基硅烷类气体。

3.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：

在形成含硅层的所述步骤中，进行使用了包含所述前体气体和稀释所述前体气体的气体的混合气体的所述等离子体处理。

4.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：

在形成含硅层的所述步骤中反复执行包含以下步骤的流程：

在第一期间、接续该第一期间的第二期间、接续该第二期间的第三期间中，将稀释所述前体气体的气体供给到所述基片，

在所述第一期间和所述第二期间中，将所述前体气体供给到所述基片，

为了在所述第二期间中从所述前体气体和稀释所述前体气体的所述气体形成等离子体，并在所述第三期间中从稀释所述前体气体的所述气体生成等离子体，在所述第二期间和所述第三期间中供给高频电功率。

5.如权利要求1～4中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

形成含硅层的所述步骤和进行所述膜的等离子体蚀刻的所述步骤使用单一的等离子体处理装置来执行，

从形成含硅层的所述步骤的开始时刻到进行所述膜的等离子体蚀刻的所述步骤的结束时刻的期间中，所述基片配置在所述单一的等离子体处理装置的腔室内。

6.如权利要求1～4中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

在形成含硅层的所述步骤中使用的第一等离子体处理装置，与在进行所述膜的等离子体蚀刻的所述步骤中使用的第二等离子体处理装置经由真空输送系统连接，

在形成含硅层的所述步骤执行的过程中，所述基片配置在所述第一等离子体处理装置的腔室内，

在形成含硅层的所述步骤执行后，在进行所述膜的等离子体蚀刻的所述步骤执行前，所述基片仅经由所述真空输送系统从所述第一等离子体处理装置被输送至所述第二等离子体处理装置，

在进行所述膜的等离子体蚀刻的所述步骤执行的过程中，所述基片配置在所述第二等离子体处理装置的腔室内。

7.如权利要求1～6中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

在形成含硅层的所述步骤中，所述基片的温度设定为150℃以下的温度。

8.如权利要求1～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述含硅层在其骨架中不具有硅与氧的键。

9.如权利要求1～8中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述膜是硅氧化膜。

10.一种用于膜的蚀刻的等离子体处理装置，其特征在于，具有：

腔室；

与所述腔室连接的气体供给部；

为了从所述腔室内的气体形成等离子体而供给高频电功率的高频电源；和

控制所述气体供给部和所述高频电源的控制部，

所述控制部进行以下控制：

为了将包含硅、碳和氮且由与所述膜的材料不同的材料形成的含硅层，形成在具有所述膜和设置在该膜上的被图案化的掩模的基片上，而控制所述气体供给部以将含有硅的前体气体供给到所述腔室内，并控制所述高频电源以供给所述高频电功率，

为了进行所述膜的等离子体蚀刻，而控制所述气体供给部以将处理气体供给到所述腔室内，并控制所述高频电源以供给所述高频电功率。

11.一种用于膜的蚀刻的处理系统，其特征在于，具有：

第一等离子体处理装置；

第二等离子体处理装置；

在所述第一等离子体处理装置与所述第二等离子体处理装置之间输送基片的真空输送系统；和

控制所述第一等离子体处理装置、所述第二等离子体处理装置和所述真空输送系统的控制部，

所述第一等离子体处理装置和所述第二等离子体处理装置分别具有：

腔室；

与所述腔室连接的气体供给部；

为了从所述腔室内的气体形成等离子体而供给高频电功率的高频电源，

所述控制部进行以下控制：

为了将包含硅、碳和氮且由与所述膜的材料不同的材料形成的含硅层，形成在具有所述膜和设置在该膜上的被图案化的掩模的基片上，而控制所述第一等离子体处理装置的所述气体供给部以将含有硅的前体气体供给到所述第一等离子体处理装置的所述腔室内，并控制所述第一等离子体处理装置的所述高频电源以供给所述高频电功率，

控制所述真空输送系统以将所述基片从所述第一等离子体处理装置输送至所述第二等离子体处理装置，

为了进行所述膜的等离子体蚀刻，而控制所述第二等离子体处理装置的所述气体供给部以将处理气体供给到所述第二等离子体处理装置的所述腔室内，并控制所述第二等离子体处理装置的所述高频电源以供给所述高频电功率。