[发明专利]沉积掩模和制造该沉积掩模的方法

权利要求书

1.一种制造沉积掩模的方法，所述方法包括：

准备具有防水表面的导电基体板；

将墨的液滴滴在所述导电基体板上的与图案孔对应的位置中，并且固化所述墨的所述液滴；

通过对所述导电基体板的其上固化有所述墨的所述液滴的表面执行电镀来形成具有图案孔的所述沉积掩模的主体；以及

将所述导电基体板与所述沉积掩模的所述主体分离。

2.如权利要求1所述的方法，其中，

所述准备具有所述防水表面的所述导电基体板的步骤包括：

准备亲水导电基底；以及

在所述亲水导电基底的表面上形成疏水涂覆层。

3.如权利要求2所述的方法，所述方法还包括：

去除所述疏水涂覆层的未被所述墨的所述液滴覆盖的暴露部分。

4.如权利要求3所述的方法，其中，

所述去除所述疏水涂覆层的所述暴露部分的步骤包括干蚀刻。

5.如权利要求4所述的方法，其中，

所述干蚀刻包括等离子体蚀刻。

6.如权利要求1所述的方法，其中，

所述准备具有所述防水表面的所述导电基体板的步骤包括：

准备疏水导电基底。

7.如权利要求1所述的方法，其中，

所述准备具有所述防水表面的所述导电基体板的步骤包括：

准备非导电基底；

在所述非导电基底的表面上形成导电层；以及

在所述导电层上形成疏水涂覆层。

8.如权利要求7所述的方法，所述方法还包括：

去除所述疏水涂覆层的未被所述墨的所述液滴覆盖的暴露部分。

9.如权利要求8所述的方法，其中，

所述去除所述疏水涂覆层的所述暴露部分的步骤包括干蚀刻。

10.如权利要求9所述的方法，其中，

所述干蚀刻包括等离子体蚀刻。

11.如权利要求9所述的方法，其中，

当将所述导电基体板与所述沉积掩模的所述主体分离时，所述导电层包括所述沉积掩模的所述主体中的层。

12.如权利要求1所述的方法，其中，

所述墨包括光固化材料和热固化材料中的一种。

13.如权利要求12所述的方法，其中，

当所述墨包括光固化材料时，通过向所述墨的所述液滴发射紫外光和红外光中的一种来固化所述墨的所述液滴。

14.如权利要求12所述的方法，其中，

当所述墨包括热固化材料时，通过对所述墨的所述液滴施加热来固化所述墨的所述液滴。

15.如权利要求12所述的方法，其中，

所述墨包括树脂墨。

16.如权利要求1所述的方法，其中，

所述图案孔具有其中所述图案孔中的开口的尺寸从所述主体的表面到所述主体的另一表面连续减小的圆顶形状。

17.一种沉积掩模，所述沉积掩模包括：

主体；以及

多个图案孔，穿透到所述主体中，

其中，所述多个图案孔具有其中所述多个图案孔中的开口的尺寸从所述主体的表面到所述主体的另一表面连续减小的形状。

18.如权利要求17所述的沉积掩模，其中，

所述多个图案孔具有具备敞开的顶部的圆顶形状。