[发明专利]一种低压差电源纹波抑制线性稳压器有效
申请号: | 202010044886.5 | 申请日: | 2020-01-16 |
公开(公告)号: | CN111221373B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 陈超 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人: | 杜静静 |
地址: | 210096 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低压 电源 抑制 线性 稳压器 | ||
1.一种低压差电源纹波抑制线性稳压器,其特征在于,所述稳压器包括线性稳压器主体电路以及电源纹波抑制电路两部分,线性稳压器主体电路线包括误差放大器以及电压反馈网络,负责给出稳定的直流输出电压,并抑制输出电压的低频扰动;增强型电源纹波抑制电路通过在负载端引入自偏置电流复用共栅放大器以弥补中高频段的环路增益,第一P型金属氧化物晶体管即PMOS管PM1的源极接电源,PM1的栅极和漏极接第一电流源ID1的正极;ID1的负极接地;第二PMOS管PM2的源极接电源,PM2的栅极接PM1的栅极,PM2的漏极接第三PMOS管PM3的源极;PM3的栅极接参考电压VREF,PM3的漏极接第一N型金属氧化物晶体管即NMOS管NM1的漏极;第四PMOS管PM4的源极接PM2的漏极,PM4的栅极接第一电阻R1的负极,PM4的漏极接第二NMOS管NM2的漏极;NM1的栅极接第一偏置电压VB1, NM1的源极接地;NM2的栅极接VB1,NM2的源极接地;第三NMOS管NM3的源极接NM2的漏极,NM3的栅极接第二偏置电压VB2,NM3的漏极接第五PMOS管PM5的漏极;PM5的栅极接PM5的漏极,PM5的源极接电源;第四NMOS管NM4的源极接NM1的漏极,NM4的栅极接VB2,NM4的漏极接第六PMOS管PM6的漏极;PM6的栅极接PM5的漏极,PM6的源极接电源;第七PMOS管PM7的源极接电源,PM7的栅极接PM6的漏极,PM7的漏极接第一电阻R1的正极端;第二电阻R2的正极端接R1的负极,R2的负极端接地;PM10的源极接电源,PM10的漏极接线性稳压器输出端VOUT;第一电容C1的正极接PM10的栅极,C1的负极接第八PMOS管PM8的漏极;PM8的源极接VOUT, R4的负极端接第九PMOS管PM9的漏极;PM9的源极接VOUT,PM9的栅极接R4的正极;第二电容C2的正极接R3的正极,C2的负极接地,NM5的栅极接VB1,NM5的源极接地,NM6的栅极接VB1,NM6的源极接地;负载电容CL的正极接VOUT,电容CL的负极接地。
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