[发明专利]多层柔性高密度脑电极及其制备方法有效
申请号: | 202010043816.8 | 申请日: | 2020-01-15 |
公开(公告)号: | CN111202518B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 冯雪;刘亚风;陆炳卫;马寅佶 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | A61B5/291 | 分类号: | A61B5/291;A61B5/263 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 柔性 高密度 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种多层柔性高密度脑电极,其特征在于,包括层叠的多个单层电极和覆盖在最上侧的所述单层电极的上表面的隔离层(5);
所述单层电极包括柔性衬底(1)和多个金属电极;
所述柔性衬底(1)用于紧密贴合在大脑的皮质表层上,所述金属电极生长在所述柔性衬底(1)的上侧;
所述金属电极包括依次连接的接触点(2)、引线(3)和引出点(4),所述接触点(2)用于采集生理学信号,所述引线(3)用于接收所述生理学信号并传输到所述引出点(4),所述引出点(4)用于和外部设备连接以将所述生理学信号向外传输;
相邻的两个所述单层电极在垂直于多个所述单层电极的层叠方向的方向上错开;
在每一个所述单层电极中,所述引出点(4)延伸到所述柔性衬底(1)之外,一个所述单层电极的所述引出点(4)被另一个所述单层电极的所述柔性衬底(1)覆盖,
所述接触点(2)是片状的,所述引线(3)是曲线形状,
在每一个单层电极上,从所有的所述接触点(2)引出的所述引出点(4)在所述柔性衬底(1)的宽度方向上排成一行,
所有所述金属电极的延伸方向相同。
2.根据权利要求1所述多层柔性高密度脑电极,其特征在于,所述柔性衬底(1)采用聚酰亚胺制成。
3.根据权利要求1所述多层柔性高密度脑电极,其特征在于,所述柔性衬底(1)的厚度是1微米到100微米。
4.根据权利要求1所述多层柔性高密度脑电极,其特征在于,所述单层电极上的所述接触点(2)的密度是10个/平方厘米到10000个/平方厘米。
5.一种多层柔性高密度脑电极的制备方法,用于制备权利要求1至4中任一项所述多层柔性高密度脑电极,其特征在于,该方法包括步骤:
步骤1:在基底上制备所述单层电极;
步骤2:层叠多个所述单层电极从而形成多层电极;
步骤3:对所述多层电极进行加工而裸露出所述接触点(2)和所述引出点(4),得到所述多层柔性高密度脑电极。
6.根据权利要求5所述多层柔性高密度脑电极的制备方法,其特征在于,所述步骤1包括:
步骤1.1:在所述基底上旋涂柔性材料并且固化形成所述柔性衬底(1);
步骤1.2:用离子沉积或磁控溅射的方法在所述柔性衬底(1)上生长金属薄膜;
步骤1.3:用光刻工艺对所述金属薄膜进行刻蚀得到所述金属电极;
步骤1.4:在所述金属电极上旋涂柔性材料形成柔性覆盖层,所述柔性覆盖层将所述接触点(2)和所述引线(3)覆盖,之后刻蚀所述柔性覆盖层以将所述接触点(2)露出,得到一个所述单层电极。
7.根据权利要求6所述多层柔性高密度脑电极的制备方法,其特征在于,所述步骤2包括:
步骤2.1:用遮挡片覆盖所述单层电极的所述接触点(2)和其附近的区域;
步骤2.2:在所述单层电极的上表面没有被所述遮挡片覆盖的区域旋涂柔性材料并固化形成另一个所述单层电极的所述柔性衬底(1);
步骤2.3:用离子沉积或磁控溅射的方法在步骤2.2中形成的所述柔性衬底(1)上生长金属薄膜;
步骤2.4:用光刻工艺对步骤2.3中的所述金属薄膜进行刻蚀得到相应的金属电极;
步骤2.5:在所述相应的金属电极上旋涂柔性材料形成相应的所述柔性覆盖层以将相应的所述接触点(2)和所述引线(3)覆盖,之后刻蚀相应的所述柔性覆盖层以将相应的所述接触点(2)露出;
其中,根据需要制备的所述多层电极的层数重复执行步骤2.1、步骤2.2、步骤2.3、步骤2.4和步骤2.5,制备得到所述多层电极。
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