[发明专利]半导体装置的制造方法在审

申请号：	202010042238.6	申请日：	2020-01-15
公开（公告）号：	CN112530816A	公开（公告）日：	2021-03-19
发明（设计）人：	友野章;徳渕圭介;大野天頌	申请（专利权）人：	铠侠股份有限公司
主分类号：	H01L21/56	分类号：	H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287	代理人：	张世俊
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体装置制造方法
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【说明书】：

根据一个实施方式，实施方式的半导体装置的制造方法具备如下工序：将具备分别具有柱状电极的多个芯片区域及切割区域的半导体晶圆沿着切割区域分割，将多个芯片区域单片化；在经单片化的多个半导体芯片上贴附非导电性树脂膜，并且将非导电性树脂膜的一部分填充到相邻的多个半导体芯片间的间隙；在填充到间隙内的非导电性树脂膜形成具有比间隙的宽度窄的宽度的槽；以及将具有非导电性树脂膜的多个半导体芯片依次拾取并安装在衬底。

相关申请的引用

本申请案以2019年09月17日申请的先行的日本专利申请案第2019-168888号的优先权的利益为基础，且追求其利益，其内容整体通过引用包含于本文中。

技术领域

此处所揭示的实施方式涉及一种半导体装置的制造方法。

背景技术

作为将半导体芯片安装在电路衬底等衬底的方法，例如，已知有使用热塑性的非导电性树脂膜(Non Conductive Film：NCF)的安装方法。在使用NCF的安装方法中，首先，在将NCF贴附于经单片化的多个半导体芯片的电极形成面上之后，将NFC与经单片化的多个半导体芯片对应地切断。接着，将具有经单片化的NFC的半导体芯片隔着NFC而接合于衬底上隔着，将半导体芯片的电极与衬底的电极连接。在这种使用NCF的安装方法中，有无法获得充分的半导体芯片的接合强度的担心，例如，由于施加热时的衬底的收缩而容易产生半导体芯片的剥离。

发明内容

实施方式的半导体装置的制造方法具备如下工序：将具备分别具有柱状电极的多个芯片区域、及划分所述多个芯片区域的切割区域的半导体晶圆沿着所述切割区域分割，将所述多个芯片区域单片化而形成多个半导体芯片；在所述经单片化的多个半导体芯片上，从所述半导体晶圆的第1表面侧贴附非导电性树脂膜，并且将所述非导电性树脂膜的一部分填充到相邻的所述多个半导体芯片间的间隙；在填充到所述间隙内的所述非导电性树脂膜，使所述非导电性树脂膜残留在所述经单片化的半导体芯片的侧面，且形成具有比所述间隙的宽度窄的宽度的槽，由此根据所述多个半导体芯片分割所述非导电性树脂膜；以及依次拾取具有所述经分割的非导电性树脂膜的所述多个半导体芯片，并将所述拾取的所述半导体芯片的所述柱状电极接合于衬底的电极，且隔着所述非导电性树脂膜而将所述半导体芯片安装在所述衬底。

附图说明

图1A至图1E是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。

图2A至图2C是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。

图3A及图3B是表示图1A至图1E所示的半导体装置的制造方法中的非导电性膜的贴附工序及填充工序的剖视图。

图4是表示图2A至图2C所示的半导体装置的制造方法中的非导电性膜的分割工序的第1例的剖视图。

图5A及图5B是表示图2A至图2C所示的半导体装置的制造方法中的非导电性膜的分割工序的第2例的剖视图。

图6是表示图2A至图2C所示的半导体装置的制造方法中的非导电性膜的分割工序的第3例的剖视图。

图7是表示由实施方式的半导体装置的制造方法获得的半导体装置的第1例的剖视图。

图8是表示由实施方式的半导体装置的制造方法获得的半导体装置的第2例的剖视图。

图9是表示由实施方式的半导体装置的制造方法获得的半导体装置的第3例的剖视图。

图10A至图10C是表示第2实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。

图11A至图11D是表示第2实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。