[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，具备如下工序：

将具备分别具有柱状电极的多个芯片区域、及划分所述多个芯片区域的切割区域的半导体晶圆沿着所述切割区域分割，将所述多个芯片区域单片化而形成多个半导体芯片；

在所述经单片化的多个半导体芯片上，从所述半导体晶圆的第1表面侧贴附非导电性树脂膜，并且将所述非导电性树脂膜的一部分填充到相邻的所述多个半导体芯片间的间隙；

在填充到所述间隙内的所述非导电性树脂膜，使所述非导电性树脂膜残留在所述经单片化的半导体芯片的侧面，且形成具有比所述间隙的宽度窄的宽度的槽，由此根据所述多个半导体芯片分割所述非导电性树脂膜；以及

依次拾取具有所述经分割的非导电性树脂膜的所述多个半导体芯片，将所述拾取的所述半导体芯片的所述柱状电极接合于衬底的电极，且隔着所述非导电性树脂膜而将所述半导体芯片安装在所述衬底。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述非导电性树脂膜的贴附及填充工序具备如下工序：减压下将所述非导电性树脂膜贴附在所述多个半导体芯片；以及将贴附有所述非导电性树脂膜的所述多个半导体芯片大气开放，并将所述非导电性树脂膜的一部分填充到所述间隙内。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中所述非导电性树脂膜的贴附及填充工序进而具备将所述大气开放的所述非导电性树脂膜的至少相当于所述间隙的部分加热的工序。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述非导电性树脂膜的贴附及填充工序具备如下工序：将所述非导电性树脂膜贴附在所述多个半导体芯片；以及

将贴附在所述多个半导体芯片的所述非导电性树脂膜的至少相当于所述间隙的部分加热，并将所述非导电性树脂膜的一部分填充到所述间隙内。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述非导电性树脂膜的分割工序具备利用具有比所述间隙的宽度窄的宽度的刀片将填充到所述间隙内的所述非导电性树脂膜切断的工序。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中所述非导电性树脂膜的分割工序进而具备将利用所述刀片切断的所述非导电性树脂膜在其面方向延伸的工序。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述非导电性树脂膜的分割工序具备对填充到所述间隙内的所述非导电性树脂膜照射激光光而熔融断开的工序。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述非导电性树脂膜的分割工序进而具备将利用所述激光熔融断开的所述非导电性树脂膜在其面方向延伸的工序。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述非导电性树脂膜的分割工序具备将所述非导电性树脂膜在其面方向延伸而分割所述非导电性树脂膜的工序。

10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述多个芯片区域的单片化工序具备如下工序：在所述半导体晶圆的与具有所述柱状电极的第1表面相反侧的第2表面贴附切割带；以及利用所述切割带维持所述半导体晶圆的晶圆形状，且从所述半导体晶圆的所述第1表面侧沿着所述切割区域形成第1槽。

11.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述多个芯片区域的单片化工序具备如下工序：对所述半导体晶圆的具有所述柱状电极的第1表面，沿着所述切割区域照射激光光而形成改质层；在所述半导体晶圆的与所述第1表面相反侧的第2表面贴附树脂带；以及将所述树脂带在其面方向延伸，而分割所述半导体晶圆。

12.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在安装在所述衬底的所述半导体芯片的侧面，利用所述非导电性树脂膜形成内圆角。