[发明专利]一种用于CMOS图像传感器单粒子翻转效应的测试方法在审

专利信息
申请号: 202010040606.3 申请日: 2020-01-15
公开(公告)号: CN111220867A 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 文林;蔡毓龙;李豫东;周东;冯婕;郭旗 申请(专利权)人: 中国科学院新疆理化技术研究所
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00;G01C25/00;H04N17/00
代理公司: 乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙) 65106 代理人: 张莉
地址: 830011 新疆维吾尔*** 国省代码: 新疆;65
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 cmos 图像传感器 粒子 翻转 效应 测试 方法
【说明书】:

发明提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子翻转效应的测试方法。该方法所涉及的测试系统是由PC机和CMOS图像传感器测试板组成,其中CMOS图像传感器测试板由图像和数据接口、现场可编程门阵列、CMOS图像传感器和外围电路组成,在PC机中设置有图像成像软件和寄存器读写软件,PC机中图像采集卡通过数据线与CMOS图像传感器测试板中的图像和数据接口相连,现场可编程门阵列将图像数据映射成标准图像格式传递给PC机,电源通过外围电路为CMOS图像传感器和现场可编程门阵列供电,寄存器读写软件可读写CMOS图像传感器内部寄存器值,同时将读出值和初值进行比较,判定该寄存器是否发生翻转,并自动统计寄存器发生翻转次数。本发明所述方法简单快速,计算结果准确,实时性强。

技术领域

本发明涉及电子器件辐射效应检测技术领域,涉及一种用于CMOS图像传感器单粒子翻转效应的测试方法。

背景技术

和电耦合器件(CCD)相比较,CMOS图像传感器有着集成度高、速度快、低功耗等优点。而且近些年来,快速发展的CMOS图像传感器生产工艺已经极大提高了CMOS图像传感器的性能,使其可以比拟CCD。因为这些优势,基于CMOS制造工艺的图像传感器已经被应用在空间领域,涉及星敏感器、遥感成像和对地观测等方面。

CMOS图像传感器在空间应用时,空间中的质子、中子和重离子会导致CMOS图像传感器发生单粒子翻转,严重时导致其采集图像完全异常。因此需要研发出高抗单粒子翻转的CMOS图像传感器,这就需要在地面模拟空间辐射环境装置上进行单粒子翻转试验,评估其单粒子翻转截面,找出器件对单粒子翻转敏感的寄存器,从而有针对性的进行加固处理。已有的针对CMOS图像传感器单粒子翻转测试方法,主要根据CMOS图像传感器在线采集暗场异常图像倒推对应功能寄存器翻转,这种方法能够推测出CMOS图像传感器某些典型图像异常对应的翻转寄存器,缺点是无法准确建立所有异常图和翻转寄存器对应关系,也不能评估出寄存器翻转截面,因此不能作为CMOS图像传感器单粒子翻转评估方法。本发明所述的一种用于CMOS图像传感器单粒子翻转效应测试方法,该方法具有的效果是能够实现评估CMOS图像传感器不同寄存器和器件整体的翻转截面,并建立寄存器翻转和异常图像对应关系。在地面模拟空间环境辐照试验中,在线实时采集CMOS图像传感器内部寄存器值,同时采集暗场图像。依据统计的寄存器翻转次数,评估其翻转截面,为CMOS图像传感器抗辐射评估提供试验指导。在利用地面模拟空间辐射环境装置研究电子元器件单粒子效应时,CMOS图像传感器是放置在辐照室,测试人员需要在外面进行远程控制,实时监测器件工作状况。

已有的针对CMOS图像传感器单粒子翻转测试方法,主要根据CMOS图像传感器在线采集暗场异常图像倒推对应功能寄存器翻转,这种方法能够推测出CMOS图像传感器某些典型图像异常对应的某寄存器翻转,缺点是无法准确建立所有异常图和寄存器翻转对应关系,也不能评估出寄存器翻转截面,因此不能作为CMOS图像传感器单粒子翻转评估方法。

发明内容

本发明的目的在于,在利用地面模拟空间辐射环境装置研究CMOS图像传感器单粒子翻转效应时,实时读取CMOS图像传感器内部寄存器值并采集暗场图像,提供一种用于CMOS图像传感器单粒子翻转效应测试方法,该方法所涉及的测试系统是由PC机和CMOS图像传感器测试板组成,其中CMOS图像传感器测试板由图像和数据接口、现场可编程门阵列(FPGA)、CMOS图像传感器和外围电路组成,在PC机中设置有图像成像软件和寄存器读写软件,PC机中图像采集卡通过数据线与CMOS图像传感器测试板中的图像和数据接口相连,现场可编程门阵列(FPGA)将图像数据映射成标准图像格式传递给PC机,电源通过外围电路为CMOS图像传感器和现场可编程门阵列(FPGA)供电,寄存器读写软件可读写CMOS图像传感器内部寄存器值,同时将读出值和初值进行比较,判定该寄存器是否发生翻转,并自动统计寄存器发生翻转次数。

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