[发明专利]线状构件及其制造方法在审
申请号: | 202010038909.1 | 申请日: | 2020-01-14 |
公开(公告)号: | CN111462945A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 末永和史;佐川英之;杉山刚博 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | H01B7/02 | 分类号: | H01B7/02;H01B7/08;H01B7/17;H01B3/30;H01B13/00;H01B13/06;C23C18/18;C23C18/40;C23C28/02;C25D3/38 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;金鲜英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线状 构件 及其 制造 方法 | ||
1.一种线状构件,其具备:
在表面具有多个裂纹状沟槽的由氟树脂形成的线状绝缘体、和
被覆在所述绝缘体表面的镀敷层,
所述绝缘体表面的状态满足以下条件中的至少任一条件:算术平均粗糙度Ra为40nm以上、以及均方根粗糙度Rms为80nm以上。
2.一种线状构件的制造方法,其包括:
对由氟树脂形成的线状绝缘体表面实施粗糙化处理的工序、和
在所述粗糙化处理之后,对所述绝缘体表面实施镀敷处理而形成镀敷层的工序,
所述粗糙化处理为在钠萘络合物溶液中的浸渍处理、低温喷射处理或电子束照射。
3.根据权利要求2所述的线状构件的制造方法,其中,所述粗糙化处理为在钠萘络合物溶液中的浸渍处理,
所述粗糙化处理后的所述绝缘体表面的状态满足以下条件中的至少任一条件:算术平均粗糙度Ra为40nm以上、以及均方根粗糙度Rms为80nm以上。
4.根据权利要求2所述的线状构件的制造方法,其中,所述粗糙化处理为低温喷射处理,在使用液氮降低了所述绝缘体的温度的状态下实施喷射处理。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的线状构件的制造方法,其满足以下条件中的至少任一条件:所述绝缘体表面的算术平均粗糙度Ra通过所述粗糙化处理而增加到所述粗糙化处理前的1.7倍以上、以及所述绝缘体表面的均方根粗糙度Rms通过所述粗糙化处理而增加到所述粗糙化处理前的2倍以上。
6.一种线状构件的制造方法,其包括:
对由氟树脂形成的线状绝缘体表面实施亲水化处理的工序;和
在所述亲水化处理之后对所述绝缘体表面实施镀敷处理而形成镀敷层的工序,
在所述亲水化处理后的所述绝缘体表面的红外全反射吸收光谱中,将归属于羧基的吸收峰的积分值用归属于氟树脂的C-F伸缩振动的吸收峰的积分值进行标准化而得到的值为0.02以上。
7.根据权利要求6所述的线状构件的制造方法,其中,所述亲水化处理为在钠萘络合物溶液中的浸渍处理。
8.根据权利要求6或7所述的线状构件的制造方法,其中,通过所述亲水化处理,所述绝缘体表面的羧基量达到所述亲水化处理前的6倍以上。
9.一种线状构件,其具备:
由氟树脂形成的线状绝缘体、和
被覆在所述绝缘体表面的镀敷层,
在所述绝缘体表面存在羟基。
10.根据权利要求9所述的线状构件,其中,在所述绝缘体表面的红外全反射吸收光谱中,将归属于羧基的吸收峰的积分值用归属于氟树脂的C-F伸缩振动的吸收峰的积分值进行标准化而得到的值为0.02以上。
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