[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成结构层，其过程为：形成包括依次交替叠置的牺牲层及栅间介质层的叠层结构，所述叠层结构包括核心区域及位于所述叠层结构边缘的台阶区域，其中，所述核心区域为第一区域，所述台阶区域为第二区域；于所述叠层结构内形成沟道通孔，所述沟道通孔沿厚度方向贯穿所述叠层结构，所述第一区域内所述沟道通孔的密度大于所述第二区域内所述沟道通孔的密度；于所述叠层结构的上表面形成覆盖介质层；

于所述结构层内形成栅极间隙，所述栅极间隙包括第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽；其中，所述第一沟槽位于所述第一区域内，所述第三沟槽位于所述第二区域内，所述第二沟槽位于所述第一区域与所述第二区域的交界处，一端与所述第一沟槽相连接，另一端与所述第三沟槽相连接，所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度及所述第三沟槽的深度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述叠层结构的上表面形成所述覆盖介质层之前还包括如下步骤：

于所述沟道通孔内形成功能侧壁；及

于所述功能侧壁的表面形成沟道层。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述牺牲层包括氮化硅层，所述栅间介质层包括氧化硅层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：于所述叠层结构内形成所述栅极间隙包括如下步骤：

于所述第一区域内形成所述第一沟槽，并于所述第二区域内形成所述第三沟槽；所述第一沟槽及所述第三沟槽均沿厚度方向贯穿所述覆盖介质层及所述叠层结构；及

于所述结构层内形成第二沟槽，所述第二沟槽沿厚度方向贯穿所述覆盖介质层以暴露出所述叠层结构。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：形成所述栅极间隙之后还包括于所述栅极间隙内形成共源线的步骤。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述栅极间隙内形成所述共源线之前还包括于所述栅极间隙的侧壁形成绝缘隔离层的步骤。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述栅极间隙的侧壁形成所述绝缘隔离层之前还包括如下步骤：

基于所述栅极间隙去除所述牺牲层，以形成牺牲间隙；及

于所述牺牲间隙内形成栅极层。

8.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述结构层内形成所述第二沟槽之前还包括如下步骤：

基于所述第一沟槽及所述第三沟槽去除所述牺牲层，以形成牺牲间隙；

于所述牺牲间隙内形成栅极层；及

于所述第一沟槽及所述第三沟槽内形成第一导电层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第二沟槽之后还包括于所述第二沟槽内形成第二导电层的步骤，所述第二导电层与位于所述第一沟槽及所述第三沟槽内的所述第一导电层均相连接，以形成共源线。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述第一沟槽及所述第三沟槽内形成所述第一导电层之前包括于所述第一沟槽的侧壁及所述第三沟槽的侧壁形成第一绝缘隔离层的步骤；于所述第二沟槽内形成所述第二导电层之前还包括于所述第二沟槽的侧壁形成第二绝缘隔离层的步骤。