[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010035212.9 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN113113464B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 清纯半导体（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 林韵英 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
第一导电类型半导体层；
若干第一半导体区域，所述第一半导体区域是第二导电类型，设置在第一导电类型半导体层内，所述若干第一半导体区域在第一方向上延伸；
间隔设置的若干第二半导体区域，所述第二半导体区域是第二导电类型，在第二方向延伸，设置在第一导电类型半导体层内且位于相邻的两个第一半导体区域之间，与相邻的两个第一半导体区域接触，所述第二方向与所述第一方向垂直，所述第二半导体区域的厚度小于所述第一半导体区域的厚度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体区域的掺杂浓度为1*1015cm-3-1*1018cm-3。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二半导体区域的掺杂浓度为5*1016cm-3-5*1020cm-3。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二半导体区域的长度小于2μm。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型半导体层由宽禁带半导体制成。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述宽禁带半导体的材料为碳化硅。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
MOSFET、绝缘栅双极型晶体管、金属氧化物半导体控制的晶闸管。
8.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，包括：
形成第一导电类型半导体层；
在第一导电类型半导体层内形成若干第一半导体区域，所述第一半导体区域是第二导电类型，所述若干第一导电类型半导体区域在第一方向上延伸；
在第一导电类型半导体层内形成间隔的若干第二半导体区域，所述第二半导体区域是第二导电类型，在第二方向上延伸，位于相邻的两个第一半导体区域之间，与相邻的两个第一半导体区域接触，所述第二方向与所述第一方向垂直，所述第二半导体区域的厚度小于所述第一半导体区域的厚度。
9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述在第一导电类型半导体层内形成若干第一半导体区域，包括：
通过离子注入的方法在所述第一导电类型半导体层内形成若干第一半导体区域，其中，所述第一半导体区域是第二导电类型，所述若干第一导电类型半导体区域在第一方向上延伸。
10.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述在第一导电类型半导体层内形成若干第一半导体区域，包括：
通过倾斜离子注入的方法在所述第一导电类型半导体层内形成若干第一半导体区域，其中，所述第一半导体区域是第二导电类型，所述若干第一导电类型半导体区域在第一方向上延伸。
11.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述在第一导电类型半导体层内形成若干第二半导体区域，包括：
通过离子注入的方法在所述第一导电类型半导体层内形成若干第二半导体区域，其中，所述第二半导体区域是第二导电类型，在第二方向上延伸，位于相邻的两个第一半导体区域之间，与相邻的两个第一半导体区域接触。
12.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述形成第一导电类型半导体层，包括：
采用宽禁带半导体形成第一导电类型半导体层。
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