[发明专利]传感器装置

说明书

本发明提供一种传感器装置，其目的在于抑制泄漏电流的产生。该传感器装置具备形成在半导体基板内且具有与上述半导体基板相反的极性的压阻元件、形成在上述半导体基板内且具有与上述半导体基板相反的极性的扩散配线、形成于上述半导体基板内的相邻的上述扩散配线之间且具有与上述半导体基板相同的极性的第一屏蔽层、形成于上述压阻元件与上述扩散配线的表层且具有与上述第一屏蔽层相同的极性的第二屏蔽层。

技术领域

本发明涉及传感器装置，尤其涉及检测多轴方向的力的压力传感器。

背景技术

一直以来，已知通过在由金属形成的应变体中安装传感器元件并用传感器元件检测通过施加外力而产生的应变体的弹性变形而检测多轴的力的压力传感器。

在上述压力传感器中作为传感器元件使用利用SOI(Silicon On Insulator)基板等的半导体基板而制造的传感器芯片(例如，参照专利文献1、2)。在构成传感器芯片的半导体基板内形成作为歪斜检测元件的压阻、扩散配线层，在半导体基板上形成金属配线层。

现有技术文献

专利文献1：日本特许第4011345号

专利文献2：日本特开2018-185296号公报

近年来，为了传感器芯片的小型化而有压阻、扩散配线、金属配线等的间隔变窄的倾向，提高在配线间产生未示意的寄生MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的可能性。若产生寄生MOS结构，会有在相邻的扩散配线间、扩散配线与金属配线之间等产生泄漏电流的可能性。若产生泄漏电流，会使传感器元件的输出特性劣化。

发明内容

所公开的技术是鉴于上述方面的内容，其目的在于抑制泄漏电流的产生。

所公开的技术是传感器装置，具有形成在半导体基板内且具有与上述半导体基板相反的极性的压阻元件、形成在上述半导体基板内且具有与上述半导体基板相反的极性的扩散配线、形成于上述半导体基板内的相邻的上述扩散配线之间且具有与上述半导体基板相同的极性的第一屏蔽层、形成于上述压阻元件与上述扩散配线的表层且具有与上述第一屏蔽层相同的极性的第二屏蔽层。

本发明的效果如下。

根据公开的技术，能够抑制泄漏电流的产生。

附图说明

图1是从Z轴方向上侧观察第一实施方式的传感器芯片的图。

图2是从Z轴方向下侧观察第一实施方式的传感器芯片的图。

图3是说明表示施加在各轴上的力以及力矩的符号的图。

图4是举例说明传感器芯片的压阻元件的配置的图。

图5是举例说明传感器芯片中的电极配置与配线的图。

图6是举例说明图5中的支撑部的区域中的电极垫以及配线的布局的图。

图7是举例说明包括图5中的压阻元件的区域中的配线的布局的图。

图8是表示沿图7中的A-A线的剖面的图。

图9是表示第一屏蔽层的形成区域的俯视图。

图10是表示第二屏蔽层的形成区域的俯视图。

图11是概略性地表示传感器芯片的主要部分的剖面的图。

图中：15—电极垫，15a—电极垫，15b—接触插头，16—配线，17—扩散配线，18—接触插头，18c—接触部，19—第一屏蔽层，20—第二屏蔽层，110—传感器芯片，200—半导体基板，201—表面绝缘膜，202—层间绝缘膜。

具体实施方式