[发明专利]传感器装置

权利要求书

1.一种传感器装置，其特征在于，

具有：

形成在半导体基板内且具有与上述半导体基板相反的极性的压阻元件；

形成在上述半导体基板内且具有与上述半导体基板相反的极性的扩散配线；

形成于上述半导体基板内的相邻的上述扩散配线之间且具有与上述半导体基板相同的极性的第一屏蔽层；以及

形成于上述压阻元件与上述扩散配线的表层且具有与上述第一屏蔽层相同的极性的第二屏蔽层。

2.根据权利要求1所述的传感器装置，其特征在于，

上述第一屏蔽层还形成于相邻的上述压阻元件之间。

3.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其特征在于，

上述第一屏蔽层比上述半导体基板杂质浓度高，上述第二屏蔽层比上述第一屏蔽层杂质浓度高。

4.根据权利要求3所述的传感器装置，其特征在于，

上述扩散配线比上述压阻元件杂质浓度高。

5.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其特征在于，

在上述半导体基板上具有隔着绝缘膜形成的配线，上述配线隔着贯通上述绝缘膜的接触插头而连接于上述扩散配线。

6.根据权利要求5所述的传感器装置，其特征在于，

具有形成在上述绝缘膜上的上拉用的电极垫，上述电极垫隔着贯通上述绝缘膜的接触插头而连接于上述第一屏蔽层。

7.根据权利要求6所述的传感器装置，其特征在于，

上述半导体基板的极性是n型。

8.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其特征在于，

能够检测多轴方向的力以及/或力的力矩。