[发明专利]一种纳米片状钼掺杂具有氧缺陷三氧化钨、其制备方法及应用在审
申请号: | 202010030643.6 | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN111097406A | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 高凤丽;张守仁;杨保成;魏士礼;孔维倩 | 申请(专利权)人: | 黄河科技学院 |
主分类号: | B01J23/30 | 分类号: | B01J23/30;C25B11/06;C25B1/00;C25B11/12 |
代理公司: | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人: | 张丽 |
地址: | 450005 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 片状 掺杂 有氧 缺陷 氧化钨 制备 方法 应用 | ||
1.一种纳米片状钼掺杂具有氧缺陷三氧化钨的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)覆盖有钨酸种子液的基片的制备
将钨酸和聚乙烯醇加入到过氧化氢溶液中,搅拌溶解至乳白色溶液,即得到种子溶液,将种子溶液通过旋涂的方法均匀覆盖于导电玻璃表面,再将覆盖有种子溶液的导电玻璃均匀升温至450~550℃保持1~3h之后自然冷却至室温,即得到下一步实验所用的基片;
(2)将钨酸的过氧化氢溶液,钼酸的过氧化氢溶液,草酸,尿素,盐酸和乙腈混合均匀,得到水热反应液;将步骤(1)中制得的基片置于水热反应液中,于150~200℃反应1~3h,自然冷却至室温取出清洗,干燥;
(3)把步骤(2)中水热反应过后的样品片置于氢气氛围下300~500℃煅烧2-4个小时,自然冷却至室温,即得到纳米片状钼掺杂具有氧缺陷三氧化钨的样品。
2.根据权利要求1所述纳米片状钼掺杂具有氧缺陷三氧化钨的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,钨酸和聚乙烯醇的质量比为5:2,过氧化氢溶液浓度为30wt%,每1g钨酸需要13.6mL30wt%过氧化氢溶液,每次滴加100μL种子液,并重复6~8次。
3.根据权利要求1所述纳米片状钼掺杂具有氧缺陷三氧化钨的制备方法,其特征在于,步骤(2)中钨酸的过氧化氢溶液的配置过程如下:将钨酸和30wt%过氧化氢分别加入到水中,在90~100℃下,搅拌至溶解,冷却至室温,即得,每1g钨酸需要13.6mL30wt%过氧化氢溶液、67mL的水。
4.根据权利要求1所述纳米片状钼掺杂具有氧缺陷三氧化钨的制备方法,其特征在于,步骤(2)中钼酸的过氧化氢溶液的配置过程如下:将钼酸和30wt%过氧化氢分别加入到水中,室温搅拌至溶解,即得,每0.162g的钼酸需要5mL30wt%过氧化氢溶液、15mL的水。
5.根据权利要求3或4所述纳米片状钼掺杂具有氧缺陷三氧化钨的制备方法,其特征在于,每3mL钨酸的过氧化氢溶液需要0.06mL-0.6mL的钼酸溶液,0.02g草酸,0.02g尿素,0.5mL 、4-6mol/L盐酸,12.5mL的乙腈。
6.权利要求1至5任一所述的制备方法制得的纳米片状钼掺杂具有氧缺陷三氧化钨。
7.权利要求6所述纳米片状钼掺杂具有氧缺陷三氧化钨作为催化剂的应用。
8.根据权利要求7所述的应用,其特征在于,作为氮还原催化剂用于电催化氮气合成氨。
9.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,以制备的钼掺杂的具有氧缺陷三氧化钨纳米片为工作电极,碳棒作为对电极,Ag/AgCl参比电极,0.1-0.5mol/L高氯酸锂做为电解液,电压为-0.6v至-0.2v。
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