[发明专利]一种5G基站耦合器印制电路板制备方法有效
申请号: | 202010029329.6 | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN110831355B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 周刚;曾祥福;王欣 | 申请(专利权)人: | 智恩电子(大亚湾)有限公司 |
主分类号: | H05K3/46 | 分类号: | H05K3/46;H05K3/42 |
代理公司: | 惠州创联专利代理事务所(普通合伙) 44382 | 代理人: | 潘丽君 |
地址: | 516081 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基站 耦合器 印制 电路板 制备 方法 | ||
1.一种5G基站耦合器印制电路板制备方法,其特征在于:所述制备方法用于制备用于5G基站的毫米波功率放大器的N层高频HDI板,其中N为大于6的偶数,所述制备方法包括如下步骤,
第一步:L1、L2层的制作:选用TG170材质芯板制作,只做第L2层线路,L1层保留铜面;
第二步:L3至L(N-2)层的制作:选用ROGERS材质芯板制作,包括前工序处理、第一次层压处理和锣边处理;
第三步:L(N-1)、LN层的制作:选用TG170材质芯板制作,只做L(N-1)层线路,LN层保留铜面;
第四步:组合层压处理:将第一步至第三步制作完成的层板依次叠放在一起,采用层压机进行第二次层压处理,使L1至LN层整体压合在一起;
第五步:后流程处理:包括锣边、烤板、一钻、金属包边处理及后工序处理。
2.根据权利要求1所述的5G基站耦合器印制电路板制备方法,其特征在于,所述L1、L2层的芯板和L(N-1)、LN层均采用薄板作为芯板进行制备,所述L1、L2层的芯板和L(N-1)、LN层均设计有盲孔。
3.根据权利要求2所述的5G基站耦合器印制电路板制备方法,其特征在于,所述L1、L2层的芯板和L(N-1)、LN层的制作流程均如下:开料→盲孔钻孔→沉铜板电→树脂塞孔→打磨整平→制作内层线路→外层干膜→酸性蚀刻→退膜→外层AOI。
4.根据权利要求3所述的5G基站耦合器印制电路板制备方法,其特征在于,所述L1、L2层的芯板和L(N-1)、LN层制作过程中的沉铜板电工序采用机械盲孔电镀,所述机械盲孔电镀为采用薄板架+VCP电镀的方式电镀。
5.根据权利要求1所述的5G基站耦合器印制电路板制备方法,其特征在于,所述前工序处理:开料→烤板→内层湿膜→内层蚀刻→内检。
6.根据权利要求1所述的5G基站耦合器印制电路板制备方法,其特征在于,上述第五步中所述金属包边处理包括金属包边工序,金属包边位置是除产品、工艺边连接处和邮票孔区域以外,金属包边位置全部采用金属包边设计。
7.根据权利要求6所述的5G基站耦合器印制电路板制备方法,其特征在于,所述金属包边工序完成后,依次进行沉铜前锣内槽→沉铜板电→外层干膜→图电→锣半槽→退膜→蚀刻工序。
8.根据权利要求7所述的5G基站耦合器印制电路板制备方法,其特征在于,上述第五步中所述金属包边处理还包括二钻工序,所述二钻工序在蚀刻工序前进行,用于把金属包边位置与非金属包边位置相接的位置切断。
9.根据权利要求8所述的5G基站耦合器印制电路板制备方法,其特征在于,所述蚀刻工序使二钻切削过程中产生的铜皮通过蚀刻后消失,确保金属包边完整无铜皮翘起。
10.根据权利要求8所述的5G基站耦合器印制电路板制备方法,其特征在于,所述蚀刻工序时进行射频线宽控制,射频线补偿大小根据蚀刻能力确定。
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