[发明专利]DRAM芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质

说明书

本发明涉及一种DRAM芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质，设备包括用于提供环境温度控制的老化柜，及连接并控制所述老化柜的通信控制模块，以及用于放置被测试DRAM芯片的测试板，所述测试板包括有用于测试DRAM芯片的SSD主控模块，所述SSD主控模块通过高速DRAM接口连接多个DRAM芯片进行测试。本发明通过在测试板上使用SSD主控模块来同时连接多个DRAM芯片进行老化测试，在保证单个DRAM芯片的测试效率不受影响的前提下，大大提高了DRAM芯片老化测试设备的同测数量，进而提高了DRAM芯片老化测试的效率。

技术领域

本发明涉及老化测试，更具体地说是指一种DRAM芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质。

背景技术

DRAM芯片是动态随机存取存储器，DRAM存储芯片只能将数据保持很短的时间，所以需要定时刷新。

生产过程中，需要对DRAM芯片进行功能测试，实现自动加载DRAM芯片所需测试的程序并能集成功能测试，通过系列的老化、功能测试，将被测试的DRAM芯片进行筛选，以分出Good或NG或其它等级。

业界目前依托Advantest System/Teradyne System 进行BURNIN测试-CORE测试-Speed测试。DRAM测试设备主要依靠国外半导体设备厂商提供测试平台，资源稀缺。具体的测试流程包括：BURNIN测试为高低温下低速老化测试和颗粒修复测试；CORE测试为DRAM ARRAY CORE Frequency 测试；Speed测试为高速测试。

其中，CORE测试能同测数量少，测试速率低，测试设备贵，成本高；Speed测试能同测数量也少，设备也非常贵。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种DRAM芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

第一方面，本发明提出一种DRAM芯片老化测试设备，包括用于提供环境温度控制的老化柜，及连接并控制所述老化柜的通信控制模块，以及用于放置被测试DRAM芯片的测试板，所述测试板包括有用于测试DRAM芯片的SSD主控模块，所述SSD主控模块通过高速DRAM接口连接多个DRAM芯片进行测试。

第二方面，本发明还提出一种DRAM芯片老化测试方法，基于如上所述的DRAM芯片老化测试设备，包括以下步骤：

将DRAM芯片放置在测试板，同时根据测试板编号生成对应的DRAM分布文件，DRAM芯片放置完成后将测试板连接老化柜，所述的DRAM分布文件包括DRAM芯片在测试板上的放置位置信息；

获取来自控制终端的控制指令和测试程序；

通过测试板上的SSD主控模块运行测试程序，驱动对应的DRAM芯片进行相应的老化测试以得到测试数据，老化柜根据控制指令进行温度控制；

将测试数据通过通信控制模块上传到控制终端，并根据DRAM分布文件和测试数据生成相应的测试信息文件，所述测试信息文件包括DRAM芯片在测试板上的放置位置信息，以及对应DRAM芯片的测试数据；

根据测试信息文件自动分选对应测试板上的DRAM芯片。

第三方面，本发明还提出一种计算机设备，所述计算机设备包括存储器及处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上所述的DRAM芯片老化测试方法。

第四方面，本发明还提出一种存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时可实现如上所述的DRAM芯片老化测试方法。