[发明专利]作用线圈选择式的蚀刻机结构

说明书

本发明提供一种作用线圈选择式的蚀刻机结构，其包括：第一等离子反应腔体，其具有第一反应腔室；多个第一C型线圈，排列于第一反应腔室的外围，并具有第一输入端部及第一控制端部，且第一控制端部是与接地端接地连接；以及第一电源模块，借由第一开关，选择性的与第一输入端部电性连接。借由本发明的实施，可以动态的完成反应腔室壁体上，各个不同部位沉积物的清理。

技术领域

本发明为一种作用线圈选择式的蚀刻机结构，特别为一种应用半导体或光电元件…等制造过程的作用线圈选择式的蚀刻机结构。

背景技术

对感应耦合等离子(Inductively Coupled Plasma，ICP)而言，线圈的位置及长度是很重要的。一旦线圈的的长度及位置被固定后，就不会再变动，因此等离子浓度的均匀度，电子温度分布，对反应腔体内局部损害的位置与程度都会固定。

如图1所示，当蚀刻机被使用一段时间后，在反应腔室的壁体上，就会有等离子反应后的聚合物的沉积(图中深色区域P101)，又相关聚合物的沉积，将会造成反应腔室内制造过程参数的失真，此外当聚合物沉积的厚度逐渐增加后，反应腔室内杂质微粒的准位也将随的升高，也因此产生严重影响良率的问题。

现有习知感应耦合等离子蚀刻机，特别是在使用干式清理(dry clean)的时候，由于线圈的位置是固定在同一个位置，因此聚合物被清除的部位(图中浅色区域P102)，也受到了限制，造成反应腔室无法被有效的清理。

发明内容

本发明为一种作用线圈选择式的蚀刻机结构，其主要是要解决如何借由线圈的选择，以有效完成反应腔室壁体上，沉积物清理的问题。

本发明提供一种作用线圈选择式的蚀刻机结构，其包括：第一等离子反应腔体，其具有第一反应腔室；多个第一C型线圈，其是上、下排列于第一反应腔室的外围，又每一第一C型线圈具有第一输入端部及第一控制端部，且所述第一控制端部是相互电性连接后与接地端接地连接；以及第一电源模块，其借由第一开关，选择性的与第一输入端部电性连接。

较佳地，其中该多个第一C型线圈，其彼此是相互平行的排列。

较佳地，其中该多个第一C型线圈，其彼此是相互等间距的排列。

较佳地，其中所述第一控制端部与该接地端间串联有电容。

较佳地，其中每一该第一控制端部与该接地端间串联有第一接地开关及电容。

较佳地，其进一步具有：第二等离子反应腔体，其具有与该第一反应腔室相连通的第二反应腔室；多个第二C型线圈，其是上、下排列于该第二反应腔室的外围，又每一该第二C型线圈具有第二输入端部及第二控制端部，且所述第二控制端部是相互电性连接后与接地端接地连接；以及第二电源模块，其借由第二开关，选择性的与该第二输入端部电性连接。

较佳地，其中该多个第二C型线圈，其彼此是相互平行的排列。

较佳地，其中该多个第二C型线圈，其彼此是相互等间距的排列。

较佳地，其中所述第二控制端部与该接地端间串联有电容。

较佳地，其中每一该第二控制端部与该接地端间串联有第二接地开关及电容。

本发明又提供一种作用线圈选择式的蚀刻机结构，其包括：第一等离子反应腔体，其具有第一反应腔室；第一螺旋线圈，其是环绕设置于第一反应腔室的外围，又第一螺旋线圈具有第三输入端部及多个第三控制端部；第三电源模块，其电性连接于第三输入端部；以及多个第三接地开关，一对一的电性连接于第三控制端部与接地端之间。

较佳地，其中所述第三控制端部与该接地端间串联有电容。