[发明专利]一种适用于OLED封装的玻璃粉及其制备方法和应用

权利要求书

1.使用不析晶低熔点玻璃粉进行OLED封装的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将软化温度为400～440℃的不析晶低熔点玻璃粉与有机溶剂混合均匀，形成玻璃浆料；所述不析晶低熔点玻璃粉中基础玻璃粉料包括以下质量百分比的组分：Bi₂O₃：50～90wt%；B₂O₃：5～25wt%；ZnO：3～20wt%；MgO、SiO₂、Al₂O₃中的至少一种：0.5～5wt%；Na₂O、K₂O和Li₂O中的至少一种：0.5～5wt%；SrO、BaO和CaO中的至少一种：0.5～5wt%；Nd₂O₃、Sm₂O₃和Sb₂O₃中的至少一种：0.5～5wt%；除基础玻璃粉料外，所述不析晶低熔点玻璃粉还包括着色剂和填料；着色剂为铁基氧化物与钴基氧化物在700～1000℃保温2～8小时所得的煅烧料，其中，铁基氧化物与钴基氧化物的摩尔比为1：（0.5～2）；着色剂含量为基础玻璃粉料质量的5wt%以下不包括0；填料包括热膨胀系数为-8.6～1 ppm/℃的陶瓷填料和/或玻璃填料，所述填料含量为基础玻璃粉料质量的10wt%以下不包括0；

S2：将待封装的玻璃基板进行预处理；

S3：将玻璃浆料涂覆在S2中预处理后的玻璃基板上；

S4：将S3中涂覆玻璃浆料后的玻璃基板以1～5℃/min升温至450～550℃，保温0.5～2小时，将玻璃浆料中有机物排除并使低熔点玻璃玻化；

S5：将OLED元件放入玻璃基板叠层中，并通过激光器在450～510℃进行封装，即完成OLED元器件的封装；激光器的波长为 810±10nm，输出功率为 10～20W。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钴基氧化物为CoO、Co₂O₃或Co₃O₄，所述铁基氧化物包括FeO、Fe₂O₃或Fe₃O₄中至少一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷填料包括堇青石、β-锂霞石中至少一种，所述玻璃填料包括石英玻璃粉、锂霞石玻璃粉中至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基础玻璃粉料、着色剂和填料的中位粒径D50均为2～4μm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述不析晶低熔点玻璃粉的膨胀系数为9～10ppm/℃，玻璃转变温度为360～400℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，不析晶低熔点玻璃粉的制备方法包括以下步骤：

S1：称取基础玻璃粉料的原料，加水后球磨0.5～2小时，在110～200℃烘3～12小时后获得混合物；

S2：将S1中获得的混合物以1～10℃/min升温至900～1100℃熔制0.5～2小时，将熔制所得玻璃液冷却，获得玻璃碎片；

S3：将S2中获得的玻璃碎片、着色剂和填料，球磨0.5～6小时，得到不析晶低熔点玻璃粉。