[发明专利]一种应用于宽禁带功率器件分段驱动电路的电平位移器有效

专利信息
申请号: 202010025807.6 申请日: 2020-01-10
公开(公告)号: CN111181361B 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 周泽坤;曹建文;王卓;唐鹤;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 宽禁带 功率 器件 分段 驱动 电路 电平 位移
【权利要求书】:

1.一种应用于宽禁带功率器件分段驱动电路的电平位移器,包括电平转换模块和RS锁存模块,

所述电平转换模块包括第一NLDMOS管、第二NLDMOS管、第一PLDMOS管、第二PLDMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一非门,

第一NLDMOS管的栅极连接第一非门的输入端并作为所述电平位移器的输入端,其漏极连接第一PLDMOS管的漏极并作为所述电平转换模块的第三输出端,其源极连接第二NLDMOS管的源极并连接低电源轨相对地;

第一非门的电源端和接地端分别连接低电源轨相对电源和低电源轨相对地,其输出端连接第二NLDMOS管的栅极;

第二PLDMOS管的栅极连接第一PLDMOS管的栅极和高电源轨相对地,其漏极连接第二NLDMOS管的漏极并作为所述电平转换模块的第四输出端,其源极连接第一PMOS管和第一NMOS管的栅极以及第二PMOS管和第二NMOS管的漏极并作为所述电平转换模块的第二输出端;

第一PMOS管的源极连接第二PMOS管的源极和高电源轨相对电源,其漏极连接第一NMOS管的漏极、第一PLDMOS管的源极、第二PMOS管和第二NMOS管的栅极并作为所述电平转换模块的第一输出端;

第一NMOS管和第二NMOS管的源极连接高电源轨相对地;

其特征在于,所述电平位移器还包括数字逻辑处理模块,所述数字逻辑处理模块包括第一延时单元、第二延时单元、第二非门、第三非门、第一或非门、第二或非门、第三或非门、第四或非门、第一与门和第二与门,

所述第一延时单元的输入端连接第一或非门的第一输入端、第二与门的第一输入端和所述电平转换模块的第一输出端,其输出端连接第一或非门的第二输入端;

所述第二延时单元的输入端连接第二或非门的第一输入端、第一与门的第一输入端和所述电平转换模块的第二输出端,其输出端连接第二或非门的第二输入端;

第二非门的输入端连接第一或非门的输出端和第三或非门的第一输入端,其输出端连接第一与门的第二输入端和所述电平转换模块的第四输出端;

第三非门的输入端连接第二或非门的输出端和第四或非门的第一输入端,其输出端连接第二与门的第二输入端和所述电平转换模块的第三输出端;

第三或非门的第二输入端连接第一与门的输出端,其输出端连接所述RS锁存模块的S输入端;

第四或非门的第二输入端连接第二与门的输出端,其输出端连接所述RS锁存模块的R输入端;

所述RS锁存模块的输出端作为所述电平位移器的输出端。

2.根据权利要求1所述的应用于宽禁带功率器件分段驱动电路的电平位移器,其特征在于,在所述电平转换模块和数字逻辑处理模块之间还设置有辅助上拉模块,所述辅助上拉模块包括接在所述电平转换模块第三输出端和数字逻辑处理模块中第三非门之间的第三PLDMOS管和接在所述电平转换模块第四输出端和数字逻辑处理模块中第二非门之间的第四PLDMOS管,

第三PLDMOS管的源极连接高电源轨相对电源,其栅极连接第三非门的输出端,其漏极连接所述电平转换模块的第三输出端;

第四PLDMOS管的源极连接高电源轨相对电源,其栅极连接第二非门的输出端,其漏极连接所述电平转换模块的第四输出端。

3.根据权利要求1或2所述的应用于宽禁带功率器件分段驱动电路的电平位移器,其特征在于,所述RS锁存模块包括第一与非门和第二与非门,

第二与非门的第一输入端作为所述RS锁存模块的R输入端,其第二输入端连接第一与非门的输出端并作为所述RS锁存模块的输出端,其输出端连接第一与非门的第一输入端;

第一与非门的第二输入端作为所述RS锁存模块的S输入端。

4.根据权利要求1或2所述的应用于宽禁带功率器件分段驱动电路的电平位移器,其特征在于,所述第一延时单元包括奇数个级联的非门,所述第二延时单元包括奇数个级联的非门。

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