[发明专利]一种正装LED芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种正装LED芯片及其制作方法，所述芯片包括衬底、发光结构、电极结构、半遮挡金属层、保护层和反射层；所述发光结构设于衬底上，所述电极结构设于发光结构上，所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述半遮挡金属层设于第二电极与发光结构之间，所述保护层覆盖在电极结构以外的发光结构和半遮挡金属层上，所述反射层设置在保护层上；所述半遮挡金属层由金属制成，其透光率为40％～60％；所述反射层由透光材料制成，其反射率为50％～80％；有源层发出的光经过半遮挡层和反射层出射，芯片轴向出光减少，发光角度增大。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种正装LED芯片及其制作方法。

背景技术

LED作为新一代的固态光源，具有节能环保、高光效、使用寿命长、稳定性高等优点。

参见图1，现有的正装LED芯片包括衬底10、设于衬底10上的第一半导体层21、设于第一半导体层21上的有源层22和第一电极25、设于有源层22上的第二半导体层23、以及设于第二半导体层23上的第二电极24。其中，有源层22发出的光从背向衬底10一侧出射，现有的正装LED芯片，其发光角度最大只能达到130度，难以满足客户需要。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种正装LED芯片，结构简单，发光角度大。

本发明还要解决的技术问题在于，提供一种正装LED芯片的制作方法，结构简单，发光角度大。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种正装LED芯片，包括衬底、发光结构、电极结构、半遮挡金属层、保护层和反射层；

所述发光结构设于衬底上，所述电极结构设于发光结构上，所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述半遮挡金属层设于第二电极与发光结构之间，所述保护层覆盖在电极结构以外的发光结构和半遮挡金属层上，所述反射层设置在保护层上；

所述半遮挡金属层由金属制成，其透光率为40％～60％；

所述保护层由透光的绝缘材料制成；

所述反射层由透光材料制成，其反射率为50％～80％；

有源层发出的光经过半遮挡层和反射层出射，芯片轴向出光减少，发光角度增大。

作为上述方案的改进，所述半遮挡金属层由银、铝和金中的一种或几种制成，其厚度为10～100埃；

所述透明导电层为ITO层。

作为上述方案的改进，所述反射层由若干对反射膜组组成，所述反射膜组由第一膜层和第二膜层组成，所述第一膜层的折射率低于第二膜层的折射率。

作为上述方案的改进，所述第一膜层的折射率为1.2～1.4，所述第二膜层的折射率为1.5～2.5；

所述第一膜层的材料为SiO₂或Mg₂O₅，所述第二膜层的材料为SiN_x、Al₂O₃或Ti₂O₅。

作为上述方案的改进，所述反射层由2～10对反射膜组组成。

作为上述方案的改进，所述发光结构包括外延层、透明导电层和裸露区域，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体、有源层和第二半导体层，所述裸露区域沿着第二半导体层刻蚀至第一半导体层，所述透明导电层设置在第二半导体层，所述半遮挡金属层设于透明导电层上，所述第二电极设于半遮挡金属层，所述第一电极设于裸露区域的第一半导体层上。

相应地，本发明还提供了一种正装LED芯片的制作方法，包括：