[发明专利]一种正装LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种正装LED芯片，其特征在于，包括衬底、发光结构、电极结构、半遮挡金属层、保护层和反射层；

所述发光结构设于衬底上，所述电极结构设于发光结构上，所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述半遮挡金属层设于第二电极与发光结构之间，所述保护层覆盖在电极结构以外的发光结构和半遮挡金属层上，所述反射层设置在保护层上；

所述半遮挡金属层由金属制成，其透光率为40％～60％；

所述保护层由透光的绝缘材料制成；

所述反射层由透光材料制成，其反射率为50％～80％；

有源层发出的光经过半遮挡层和反射层出射，芯片轴向出光减少，发光角度增大。

2.如权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述半遮挡金属层由银、铝和金中的一种或几种制成，其厚度为10～100埃；

所述透明导电层为ITO层。

3.如权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述反射层由若干对反射膜组组成，所述反射膜组由第一膜层和第二膜层组成，所述第一膜层的折射率低于第二膜层的折射率。

4.如权利要求3所述的正装LED芯片，其特征在于，所述第一膜层的折射率为1.2～1.4，所述第二膜层的折射率为1.5～2.5；

所述第一膜层的材料为SiO₂或Mg₂O₅，所述第二膜层的材料为SiN_x、Al₂O₃或Ti₂O₅。

5.如权利要求3所述的正装LED芯片，其特征在于，所述反射层由2～10对反射膜组组成。

6.如权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述发光结构包括外延层、透明导电层和裸露区域，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体、有源层和第二半导体层，所述裸露区域沿着第二半导体层刻蚀至第一半导体层，所述透明导电层设置在第二半导体层，所述半遮挡金属层设于透明导电层上，所述第二电极设于半遮挡金属层，所述第一电极设于裸露区域的第一半导体层上。

7.一种正装LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成发光结构，所述发光结构包括外延层、透明导电层和裸露区域，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体、有源层和第二半导体层，所述裸露区域沿着第二半导体层刻蚀至第一半导体层，所述透明导电层设置在第二半导体层；

在透明导电层上形成半遮挡金属层，所述半遮挡金属层由金属制成，其透光率为40％～60％；

在裸露区域的第一半导体层上形成第一电极，在半遮挡金属层上形成第二电极；

在第一电极和第二电极以外的发光结构和半遮挡金属层上形成保护层，所述保护层由透光的绝缘材料制成；

在保护层上形成反射层，所述反射层由透光材料制成，其反射率为50～80％；

有源层发出的光经过半遮挡层、保护层和反射层出射，芯片轴向出光减少，发光角度增大。

8.如权利要求7所述的正装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述半遮挡金属层由银、铝和金中的一种或几种制成，其厚度为10～100埃；

所述透明导电层为ITO层。

9.如权利要求8所述的正装LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成半遮挡金属层后，对发光结构进行退火处理，以使半遮挡金属层与透明导电层形成共晶，其中，退火温度为400～550℃，退火时间为10～20min。

10.如权利要求7所述的正装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述反射层由若干对反射膜组组成，所述反射膜组由第一膜层和第二膜层组成，所述第一膜层的折射率低于第二膜层的折射率；

所述第一膜层的材料为SiO₂或Mg₂O₅，所述第二膜层的材料为SiN_x、Al₂O₃或Ti₂O₅。